Re: [問題] 有關爾利效應的選擇題

看板Electronics作者 (PTTuser)時間16年前 (2009/09/15 00:06), 編輯推噓4(4推 0噓 10→)
留言14則, 5人參與, 7年前最新討論串2/3 (看更多)
※ 引述《kurama1984 (斷顏殘臂)》之銘言： : MOSFET 中厄利效應（Early Effect）最主要之成因為何？ : A.基板和閘極之間的p-n 接面 B.閘極和源極之間空乏區互相影響 : C.通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響 D.崩潰效應 : ans:c : 查了資料都沒講到閘極和汲極的影響，請問C的答案是怎麼影響的？ BJT一般都操作在 base-emitter順偏 base-collector逆偏 假設今天沒有Early effect collector current與Vce應該是無關的 但是當Vce變大(collector對base逆偏越大)時 collector-base的depletion region會隨逆偏電壓變大 (怎麼算有點小複雜 請看大施敏或小施敏) 這時collector到emitter之間的距離就變小了 因為minority carrier的濃度不變 minority carrier life time也不變 但是diffucion length變短了 所以電流就變大了 這就是Early effect 有點像是MOSFET裡的short channel effect -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 123.195.37.160
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09/15 00:09, , 1F
突然知道你為什麼查不到了 因為Early effect是BJT的不是MOS
09/15 00:09, 1F
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09/15 00:10, , 2F
竟然打完這麼多字才發現...
09/15 00:10, 2F
推
09/15 00:28, , 3F
不是short channel effect, 是channel length modulat
09/15 00:28, 3F
推
09/15 00:30, , 4F
sce指的是說隨著L變小，Vth也會在某個長度後開始變小
09/15 00:30, 4F
推
09/15 01:21, , 5F
應該是通道長度調變效應 只是結果跟EARLY EFFECT很像
09/15 01:21, 5F
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09/15 01:22, , 6F
因為以NMOS為例 如果你將他設定在sat.也就是說V>Vt 當Vt越大
09/15 01:22, 6F
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09/15 01:23, , 7F
它實際上產生的channel length會越短
09/15 01:23, 7F
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09/15 01:25, , 8F
我好像講錯了~"~...應該說V>Vt後就會產生一條通道 此時你再
09/15 01:25, 8F
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09/15 01:27, , 9F
將Vd慢慢增加 那channel length會越來越短 那Id就會漸增
09/15 01:27, 9F
推
09/15 02:47, , 10F
結果跟early effect其實一樣，都是model成線性
09/15 02:47, 10F
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08/13 18:48, , 11F
我好像講錯了~"~.. https://muxiv.com
08/13 18:48, 11F
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09/17 22:43, , 12F
突然知道你為什麼查不到 https://daxiv.com
09/17 22:43, 12F
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11/11 15:24, , 13F
竟然打完這麼多字才發現 https://noxiv.com
11/11 15:24, 13F
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01/04 22:01, 7年前 , 14F
突然知道你為什麼查不到 https://daxiv.com
01/04 22:01, 14F
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文章代碼(AID): #1AhceDvI (Electronics)
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