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討論串[問題] 有關爾利效應的選擇題
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#3
Re: [問題] 有關爾利效應的選擇題
推噓0(0推 0噓 3→)留言3則，0人參與, 最新作者Lary (PTTuser)時間16年前 (2009/09/15 08:35), 編輯資訊
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說錯了 如deathcustom所說 在MOS是channel modulation. 附上MOS short channel effects. drain-induced barrier lowering and punchthrough. surface scattering. velocity
(還有16個字)
#2
Re: [問題] 有關爾利效應的選擇題
推噓4(4推 0噓 10→)留言14則，0人參與, 7年前最新作者Lary (PTTuser)時間16年前 (2009/09/15 00:06), 編輯資訊
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BJT一般都操作在. base-emitter順偏. base-collector逆偏. 假設今天沒有Early effect. collector current與Vce應該是無關的. 但是當Vce變大(collector對base逆偏越大)時. collector-base的depletion
(還有123個字)
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[問題] 有關爾利效應的選擇題
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者kurama1984 (斷顏殘臂)時間16年前 (2009/09/14 23:03), 編輯資訊
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MOSFET 中厄利效應（Early Effect）最主要之成因為何？. A.基板和閘極之間的p-n 接面 B.閘極和源極之間空乏區互相影響. C.通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響 D.崩潰效應. ans:c. 查了資料都沒講到閘極和汲極的影響，請問C的答案是怎麼影響的？. --. ※ 發信站:
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