[問題] 有關爾利效應的選擇題

看板Electronics作者kurama1984 (斷顏殘臂)時間16年前 (2009/09/14 23:03)推噓0(0推 0噓 0→)

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MOSFET 中厄利效應（Early Effect）最主要之成因為何？ A.基板和閘極之間的p-n 接面 B.閘極和源極之間空乏區互相影響 C.通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響 D.崩潰效應 ans:c 查了資料都沒講到閘極和汲極的影響，請問C的答案是怎麼影響的？ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.58.30.164

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