Re: [問題] 奈米科技展之主題~謝謝
※ 引述《deathcustom ()》之銘言：
: ※ 引述《bmwfisher (大腸直長長)》之銘言：
: : 各位好~想請問各位專有名詞 這樣翻是否正確 以及資訊是否正確~謝謝
: : 以下是科展的主題~請各位幫忙~謝謝
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: : 1.郭瑞年主任 (國立清華大學/物理系)
: : Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS
以鍺與三五族替代矽，實現互補型金屬氧化物半導體
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: : 以上我翻為：了解 元素"鍺"與第V-III族元素之MOSFET運用於Si CMOS製程
: : 解釋為：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半場效電晶體)來用在積體電路製程上
: : 問題：
: : 1.為什麼III-V要反過來寫?
: : 2.CMOS前面為何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圓?
: : 3.MOSFET是算是一種方法? 而CMOS是一種完整製程?
: realization: 實現
: beyond: 在...之後
: 實現Ge及三五族元素之MOS製程（這個東西比SI CMOS更先進）
: MOSFET: Metal-Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor
: 金氧半場效電晶體
: 主要是指他的結構及導通操作方式
: CMOS: Complementary MOSFET
: 由PMOS、NMOS完整組成的電路
: Si-CMOS仍然是現在數位電路主要的設計法
: （雖然早已經出現了Pseudo-跟Domino等等高速的設計法）
: : 2.劉致為教授 (國立臺灣大學/電子工程學研究所)
: : High Mobility Technologies and Physics
高遷移率性之技術與其物理特性
: : ↑↑↑↑↑↑↑↑
: : 翻為：高流動性之技術與其物理特性
: : 解釋為：查了這位教授的研究領域
: : {應變矽／high K／金屬閘．積體SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光電元件．MOS可靠度．SOI技術
: : 問題：
: : 1.什麼流動性技術?是說電子間的流動?
: Mobility: 指的是 I = 0.5 U*Cox(W/L)Vov^2
: 裡面那個U
: 其實是可以看成導電程度，也就是下面那個介電係數
: : 3.徐嘉鴻副研究員 (國家同步輻射研究中心)
: : Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics
: : Grown on Semiconductors
長於半導體上奈米厚高介電材料之結構特性
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: : 翻為：奈米級厚度的高介電材料之結構特性對半導體的影響
: : 解譯為：就是要探討奈米厚度的半導體介電材料
: : 問題：
: : 1.Grown on是翻成影響還是磊晶呢?
: 後者
: : 2.Nani-thick應該是指厚度吧~或是其他意思?
: Nano-Thick/Thickness
: 指的就是薄的Silicon Dioxide
: 也就是Gate
: 厚度是幾個到幾十個原子，只有不到10nm的厚度（甚至更少）
: : 3.所以這材料如果以厚度來說，它是粒子or膜or?
: : 4.謝光宇 處長 (旺宏電子股份有限公司奈米科技研發中心)
: : The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory
非揮發性記憶體之挑戰與最新發展
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: : 翻為：挑戰並創新非揮發性記憶體
: : 解釋為：旺宏是一家半導體商，所以要展示新型非揮發記憶體
: : 問題：
: : 非揮發性記憶體(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料
: : 並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料的記憶體
: : 1.快閃隨身碟就是此類型，想問的是一般桌機用的DDR-RAM
: : 是(volatile)類的，不是(Non-volatile)沒錯吧?--
: : 2.目前non-volatile多用於MP3隨身聽，FLASH記憶體等隨身攜帶之產品是嗎?
: 很多東西都會用到NVM
: 當然你說的那些也是
: : 5.邱雅萍助理教授 (國立中山大學/物理系)
: : Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100)
直接觀察磊晶Gd2O3(氧化釓)長在GaAs(砷化鎵)上之介面結構
: : by STM
: : ↑↑↑↑↑↑↑↑
: : 翻為：用STM直接研究Gd2O3(氧化釓)附在GaAs(砷化鎵?)上之介面結構
: : 問題：
: : 1.STM是指掃描穿遂電子顯微鏡(scanning tunneling microscope)
: : 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置?
: 100應該指的是磊晶型態
: 更明確的說就是平行yz-plane作切片（我應該沒記錯～～～吧？）
: : 3.這可能是材料的問題，物理系也有做這一類研究的主要研究導向是?
: 物理系、材料系、化學系、化工系、電機系、電子系都有機會作這類研究
: : 6.黃懋霖博士 (國立清華大學/材料科學工程學系)
: : Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation
使用原子層沉積技術在InGaAs(銦鎵砷?)上製造高界電係數材料：用於表面披覆
: : ↑↑↑↑↑↑↑↑
: : 翻為：原子層沉積(磊晶)於高相對介電係數之InGaAs(銦鎵砷?)上做為保護層
: : OR
: : 在InGaAs上沉積高介電材料原子層以做保護層(表面鈍化)
: : 問題：
: : 1.InGaAs是指元素還是這是一個專有名詞?
: 指的是由這三種元素組成的特殊材料
: : 2.high k也是高介電材料的意思?
: Yes
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我只給你我的翻譯
單PO英文上來問意思
我可以幫忙解釋
單波英文上來問翻譯
我也盡量幫忙
不過要我解釋為什麼這樣翻的話
要收錢的:p
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09/14 01:28, , 1F
09/14 01:28, 1F
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