[問題] 奈米科技展之主題~謝謝
各位好~想請問各位專有名詞 這樣翻是否正確 以及資訊是否正確~謝謝
以下是科展的主題~請各位幫忙~謝謝
--------------------------------------------
1.郭瑞年主任 (國立清華大學/物理系)
Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS
↑↑↑↑↑↑↑↑
以上我翻為：了解 元素"鍺"與第V-III族元素之MOSFET運用於Si CMOS製程
解釋為：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半場效電晶體)來用在積體電路製程上
問題：
1.為什麼III-V要反過來寫?
2.CMOS前面為何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圓?
3.MOSFET是算是一種方法? 而CMOS是一種完整製程?
2.劉致為教授 (國立臺灣大學/電子工程學研究所)
High Mobility Technologies and Physics
↑↑↑↑↑↑↑↑
翻為：高流動性之技術與其物理特性
解釋為：查了這位教授的研究領域
{應變矽／high K／金屬閘．積體SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光電元件．MOS可靠度．SOI技術
問題：
1.什麼流動性技術?是說電子間的流動?
3.徐嘉鴻副研究員 (國家同步輻射研究中心)
Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics
Grown on Semiconductors
↑↑↑↑↑↑↑↑
翻為：奈米級厚度的高介電材料之結構特性對半導體的影響
解譯為：就是要探討奈米厚度的半導體介電材料
問題：
1.Grown on是翻成影響還是磊晶呢?
2.Nani-thick應該是指厚度吧~或是其他意思?
3.所以這材料如果以厚度來說，它是粒子or膜or?
4.謝光宇 處長 (旺宏電子股份有限公司奈米科技研發中心)
The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory
↑↑↑↑↑↑↑↑
翻為：挑戰並創新非揮發性記憶體
解釋為：旺宏是一家半導體商，所以要展示新型非揮發記憶體
問題：
非揮發性記憶體(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料
並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料的記憶體
1.快閃隨身碟就是此類型，想問的是一般桌機用的DDR-RAM
是(volatile)類的，不是(Non-volatile)沒錯吧?--
2.目前non-volatile多用於MP3隨身聽，FLASH記憶體等隨身攜帶之產品是嗎?
5.邱雅萍助理教授 (國立中山大學/物理系)
Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100)
by STM
↑↑↑↑↑↑↑↑
翻為：用STM直接研究Gd2O3(氧化釓)附在GaAs(砷化鎵?)上之介面結構
問題：
1.STM是指掃描穿遂電子顯微鏡(scanning tunneling microscope)
2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置?
3.這可能是材料的問題，物理系也有做這一類研究的主要研究導向是?
6.黃懋霖博士 (國立清華大學/材料科學工程學系)
Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation
↑↑↑↑↑↑↑↑
翻為：原子層沉積(磊晶)於高相對介電係數之InGaAs(銦鎵砷?)上做為保護層
OR
在InGaAs上沉積高介電材料原子層以做保護層(表面鈍化)
問題：
1.InGaAs是指元素還是這是一個專有名詞?
2.high k也是高介電材料的意思?
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 59.105.33.201
※ bmwfisher:轉錄至看板 ChemEng 09/12 23:51
※ bmwfisher:轉錄至看板 Physics 09/12 23:55
推
09/13 00:32, , 1F
09/13 00:32, 1F
→
09/13 09:33, , 2F
09/13 09:33, 2F
推
09/13 10:08, , 3F
09/13 10:08, 3F
討論串 (同標題文章)