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討論串[問題] 奈米科技展之主題~謝謝
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#4
Re: [問題] 奈米科技展之主題~謝謝
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間16年前 (2009/09/14 14:45), 編輯資訊
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幾位大大已經解釋過了，在此幫補。. Q1.筆誤?一般都習慣寫成III-V族. Q2.目前的積體電路都製作於矽晶圓上。用鍺(Ge)與砷化鎵(GaAs)，III-V族，比起作在. 矽晶圓上，各有其用途上的優缺點。. Q3.MOSFET是一種電晶體的名稱，是一種元件。. CMOS則是使用NMOS與PMOS
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#3
Re: [問題] 奈米科技展之主題~謝謝
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者pow (體脂肪35%)時間16年前 (2009/09/13 19:35), 編輯資訊
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以鍺與三五族替代矽，實現互補型金屬氧化物半導體. 高遷移率性之技術與其物理特性. 長於半導體上奈米厚高介電材料之結構特性. 非揮發性記憶體之挑戰與最新發展. 直接觀察磊晶Gd2O3(氧化釓)長在GaAs(砷化鎵)上之介面結構. 使用原子層沉積技術在InGaAs(銦鎵砷?)上製造高界電係數材料：用於表
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#2
Re: [問題] 奈米科技展之主題~謝謝
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者deathcustom時間16年前 (2009/09/13 01:43), 編輯資訊
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realization: 實現. beyond: 在...之後. 實現Ge及三五族元素之MOS製程（這個東西比SI CMOS更先進）. MOSFET: Metal-Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor. 金氧半場效電晶體. 主要是指他的結構及導通操
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#1
[問題] 奈米科技展之主題~謝謝
推噓2(2推 0噓 1→)留言3則，0人參與, 最新作者bmwfisher (大腸直長長)時間16年前 (2009/09/12 23:42), 編輯資訊
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各位好~想請問各位專有名詞 這樣翻是否正確 以及資訊是否正確~謝謝. 以下是科展的主題~請各位幫忙~謝謝. --------------------------------------------. 1.郭瑞年主任 (國立清華大學/物理系). Realization of Ge and III-V
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