[問題] WiKi上面對Flash Memory的解釋

看板Electronics作者 (無限大的寂寞)時間16年前 (2008/07/13 20:11), 編輯推噓2(204)
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解釋頁: http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=%E9%97%AA%E5%AD%98&variant=zh-tw 令我不了解的是: 頁面上說Floating Gate被氧化層包圍而絕緣,但是又會抓住任何在Floating Gate 上停留的電子,並且在一般的狀態下可以經過好幾年。 既絕緣又會有電子跑進去?這是不是有什麼沒有敘述完呀?到底電子是怎麼跑進去 的呢?還請強者大大代為說明一下,感謝。 --- 抱歉,我好像看到段落後面說明了。如果 I_DS 夠大的話,會有「熱電子」跑到 Floating-Gate 。 不曉得我有沒有看錯... 。不過,那個熱電子還真強阿,到處跑的。 -- 很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很大!!大!!很好很強大!!很好強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很 好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很大!!很 好很強大!!很好很大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!! 很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好!!很好很強大!!很好很強!!很好強大!很好很強大!!很好很強 φmaybetrue -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.139.48.68 ※ 編輯: Maybetrue 來自: 220.139.48.68 (07/13 20:35)

07/13 21:17, , 1F
嗯,还有所谓的tunelling,总之只要给足够能量穿越barrier
07/13 21:17, 1F

07/13 22:12, , 2F
這是個物理問題,跟量子力學有關...
07/13 22:12, 2F

07/13 22:29, , 3F
F-N tunneling 與channel hot e, 是常用的program方法.
07/13 22:29, 3F

07/13 22:30, , 4F
即使是絕緣體, 還是有一定的機率穿透.
07/13 22:30, 4F

07/13 22:31, , 5F
Erase的方法, 則是F-N tunneling為主. 以前EPROM有用照UV.
07/13 22:31, 5F

07/13 22:33, , 6F
照UV erase. 現在不太使用了, 因為特殊package 太貴.
07/13 22:33, 6F
文章代碼(AID): #18UV3sSF (Electronics)
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