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討論串[問題] WiKi上面對Flash Memory的解釋
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Re: [問題] WiKi上面對Flash Memory的解釋
推噓4(4推 0噓 2→)留言6則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間17年前 (2008/07/14 14:28), 編輯資訊
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身為一個flash memory designer的我，就簡單的補充一下。. 1.電子的進入主要是依量子物理中的穿遂效應(tunneling effect)。. 這些電子要進入floating gate的機率是非常低的，所以又稱幸運電子(lucky electron. 可能幾千幾百顆之中才有不到10
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[問題] WiKi上面對Flash Memory的解釋
推噓2(2推 0噓 4→)留言6則，0人參與, 最新作者Maybetrue (無限大的寂寞)時間17年前 (2008/07/13 20:11), 編輯資訊
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解釋頁：. http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=%E9%97%AA%E5%AD%98&variant=zh-tw. 令我不了解的是：. 頁面上說Floating Gate被氧化層包圍而絕緣，但是又會抓住任何在Floating Gate. 上停留的電子，
(還有397個字)
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