Re: [請益] 關於MIM Cap 的介電材質

看板Electronics作者 (陽光下的奇蹟)時間19年前 (2006/09/20 22:39), 編輯推噓1(100)
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※ 引述《jaseper (誰肯給我錢賭王建民贏阿)》之銘言: : 請問板上的大大 如果一份文件上寫 : 他的MIM 介電材質是用 PECVD Oxide : 這代表的是他的介電材質是什麼? : 是Si3N4 還是 SiO2 還是其他的high-k的介電材質?? : 還有他的崩潰電壓大概會是多少呢?? (30V or 更低?) : 謝謝!! silicon oxide deposited by plasma enhanced-chemical vapor deposition the breakdown field will be lower than the silicon oxide grown via thermal-chemical vapor deposition and the breakdown voltage is equal to the breakdown field multiply the thickness of pe-cvd oxide -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.113.196.145

09/22 01:16, , 1F
強者!!
09/22 01:16, 1F
文章代碼(AID): #154LAsxI (Electronics)
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