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討論串[請益] 關於MIM Cap 的介電材質
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Re: [請益] 關於MIM Cap 的介電材質
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者Rigid (陽光下的奇蹟)時間19年前 (2006/09/20 22:39), 編輯資訊
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silicon oxide deposited by plasma enhanced-chemical vapor deposition. the breakdown field will be lower than the silicon oxide grown. via thermal-chem
(還有23個字)
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[請益] 關於MIM Cap 的介電材質
推噓1(1推 0噓 1→)留言2則，0人參與, 最新作者jaseper (誰肯給我錢賭王建民贏阿)時間19年前 (2006/09/20 03:34), 編輯資訊
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請問板上的大大 如果一份文件上寫. 他的MIM 介電材質是用 PECVD Oxide. 這代表的是他的介電材質是什麼?. 是Si3N4 還是 SiO2 還是其他的high-k的介電材質??. 還有他的崩潰電壓大概會是多少呢?? (30V or 更低?). 謝謝!!. --. ※ 發信站: 批踢踢實業
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