Re: [問題] 請問關於DRAM技術架構
基本上trench要用比較高深寬比的etch製程
先做出電容 再做電晶體,所以電容的介電質大多要用oxide來做
才不會在做電晶體時,把介電質用壞
stack方式的dram,不外乎是往上長poly,或使用多層poly
因為電晶體是先被做出來的,所以在後面的製程就可以用比較低溫的製程
像是high-k的材料就可以被拿來使用,但基本上這方式的dram面積比較大
在某些文獻上trench的dram,可以把電容做在電晶體的正下方
所以面積可以做到最小,但是製程上還不是很健全!
當然也有二者的混合版,使電容值加大
至於效能上,因為二者讀寫的方式是一樣的,所以應該要看各家製程的漏電量而定
【 在 andy2000a.bbs@bbs.cis.nctu.edu.tw (andy) 的大作中提到: 】
: ==> 在 PaPaX.bbs@ptt.cc (無奈且無力) 的文章中提到:
: > 想請問DRAM架構上
: > 有分 溝渠 Trench 和 堆疊 Stack
: > 這兩種的技術差異性在哪
: > 還有其效能有差嗎 成本呢?
: > 希望大家幫個忙回答了 謝謝
: 請看今天電子時報
: trech 當 process小 挖個溝深 和孔大小
: 受影響 不夠深 就電容會不夠大
: 所以 先進的 process 都使用 stack
: cost 都須要授權拉
: 如果 以老點 process 來看 trench 比 stack 小
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說我多變？或許是對。又或許.......我根本沒搞懂我在想些什麼？
宙斯最後創造雙魚時，給予他其他十一星座的優點和缺點。
也許這樣，你我都不曾真正察覺他真實的個性。
※來源 : 台北科大計中紅樓資訊站 redbbs.cc.ntut.edu.tw
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