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討論串[問題] 請問關於DRAM技術架構
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#3
Re: [問題] 請問關於DRAM技術架構
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者idoulee.時間19年前 (2006/07/30 13:32), 編輯資訊
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基本上trench要用比較高深寬比的etch製程. 先做出電容 再做電晶體,所以電容的介電質大多要用oxide來做. 才不會在做電晶體時,把介電質用壞. stack方式的dram,不外乎是往上長poly,或使用多層poly. 因為電晶體是先被做出來的,所以在後面的製程就可以用比較低溫的製程. 像是h
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#2
Re: [問題] 請問關於DRAM技術架構
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者andy2000a.時間19年前 (2006/07/25 02:01), 編輯資訊
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==> 在 PaPaX.bbs@ptt.cc (無奈且無力) 的文章中提到:. > 想請問DRAM架構上. > 有分 溝渠 Trench 和 堆疊 Stack. > 這兩種的技術差異性在哪. > 還有其效能有差嗎 成本呢?. > 希望大家幫個忙回答了 謝謝. 請看今天電子時報. trech 當 pr
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#1
[問題] 請問關於DRAM技術架構
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者PaPaX (無奈且無力)時間19年前 (2006/07/23 18:25), 編輯資訊
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想請問DRAM架構上. 有分 溝渠 Trench 和 堆疊 Stack. 這兩種的技術差異性在哪. 還有其效能有差嗎 成本呢?. 希望大家幫個忙回答了 謝謝. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 218.175.34.111.
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