Re: [問題]為何BJT的ε比 MOS的ε 大5倍左右?

看板Electronics作者時間20年前 (2006/01/09 03:45), 編輯推噓0(000)
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※ 引述《deathcustom (每天都是七彩繽紛)》之銘言: : ※ 引述《cj6gji (胡說)》之銘言: : : as title~ : : 小弟剛學電子學 : : 其實也學一學期了~~ : : 可是聽到朋友說這個問題 : : 自己也不了解~ : : 希望好心人幫忙解答一下~~ : : --------------------補充一下------------------------ : : MOS的 εox =3.9ε0 =3.9x8.854x10^-12 F/m : : 而BJT又比它大約5倍~~ : 不是吧 : MOS的是 ε(SiO2) = 11.5 ε0 : 至於BJT......抱歉我跟她不是很熟Orz : 去看Sze吧 : 或者其他固態電子學、固態物理的書吧 εr (relative permittivity,相對導電係數) 是常數啊, 同一種物質的εr是固定的, 沒有什麼 5 倍的說法吧, 很可能你要問的不是這個。 3.9 是 SiO2 (oxide) 的介電常數 11.9 (或11.5,不同書的不太一樣) 是 Si 的介電常數 這都是定值。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.229.75.72
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