[問題]為何BJT的ε比 MOS的ε 大5倍左右?

看板Electronics作者 (胡說)時間20年前 (2006/01/09 00:05), 編輯推噓0(0推 0噓 2→)
留言2則, 1人參與, 最新討論串1/4 (看更多)
as title~ 小弟剛學電子學 其實也學一學期了~~ 可是聽到朋友說這個問題 自己也不了解~ 希望好心人幫忙解答一下~~ --------------------補充一下------------------------ MOS的 εox =3.9ε0 =3.9x8.854x10^-12 F/m 而BJT又比它大約5倍~~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.115.202.99
→
01/09 00:20, , 1F
我看不懂你問啥... Orz
01/09 00:20, 1F
※ 編輯: cj6gji 來自: 140.115.202.99 (01/09 00:25)
→
01/09 00:29, , 2F
ε=εr*ε0 3.9是指二氧化矽的介電常數εr
01/09 00:29, 2F
‣ 更多 cj6gji 的文章
文章代碼(AID): #13mJWoHA (Electronics)
討論串 (同標題文章)
以下文章回應了本文：
完整討論串 (本文為第 1 之 4 篇)：
排序： 最新先 | 最舊先 | 留言數
在新視窗開啟完整討論串 (共4篇)
‣ 更多 cj6gji 的文章
文章代碼(AID): #13mJWoHA (Electronics)