Re: [問題]為何BJT的ε比 MOS的ε 大5倍左右?

看板Electronics作者 (每天都是七彩繽紛)時間18年前 (2006/01/09 00:27), 編輯推噓2(201)
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※ 引述《cj6gji (胡說)》之銘言: : as title~ : 小弟剛學電子學 : 其實也學一學期了~~ : 可是聽到朋友說這個問題 : 自己也不了解~ : 希望好心人幫忙解答一下~~ : --------------------補充一下------------------------ : MOS的 εox =3.9ε0 =3.9x8.854x10^-12 F/m : 而BJT又比它大約5倍~~ 不是吧 MOS的是 ε(SiO2) = 11.5 ε0 至於BJT......抱歉我跟她不是很熟Orz 去看Sze吧 或者其他固態電子學、固態物理的書吧 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.135.83.97

01/09 00:31, , 1F
二氧化矽的介電常數應該是3.9沒錯吧
01/09 00:31, 1F

01/09 00:57, , 2F
我朋友跟我說 和 高頻的頻率響應有關~可是也沒跟我說清楚
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01/09 01:14, , 3F
那大概是我記錯了吧@@a
01/09 01:14, 3F
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