Re: 請問OP用BJT和MOS的優缺點在那? BJT or MOS
※ 引述《ymca.bbs@bbs.isu.edu.tw ()》之銘言：
: ※ 引述《ihlin.bbs@ptt.cc》之銘言：
: > 是啊，
: > 其實BJT和BiCMOS的技術也都很成熟了，
: > 不太清楚第一篇原PO的「技術成熟」指的是？
: > 不是的，BJT和MOS比較起來還是BJT的noise較小，
: > 尤其在低頻類比應用下
: > 數位應用時的確如此，
: > 但是在類比應用時，因為在同樣偏壓電流下，
: > MOS的Gain比較小，所以省不省電就很難說了
: > 數位應用時的確如此，類比倒不那麼絕對。
: > 不太明白你這句話的主意，你說的Si和SiGe差別是？
: > 而且專給RF用的CMOS與BiCMOS製程之間差異頻大啊。
: > BJT仍然是高頻IC設計者的好朋友
: > 不過現在SoC吵著火紅，很多人都被迫要用RFCMOS去做了。
: 我可以補充一個嗎 不知道對不對
: 我覺得是因為MOS的體積跟BJT相比小很多 所以可以被大量應用在積體版上
: 不知道對還錯 請大家多指教
: ..
: ..
: ..
: ..
BJT單一cell的體積確實比MOS大
但是在低電壓超作時(1.8V以下),MOS的面積需要很大
才可達到夠低的overdrive及mismatch
反關BJT不管電晶體的size, vbe大約都在0.75~0.85,
mismatch或flicker也比mos好很多
所以以大小而論,因該是BJT取勝
BTW
目前業界大部份都是設計BiCMOS, 截取兩者優點
以OP而言
在gm stage就採用BJT, 以降低noise及mismatch
在load部份或current mirror部份就采用CMOS,
因為MOS的gate不吃電且mirror準確度高
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