討論串請問OP用BJT和MOS的優缺點在那? BJT or MOS
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推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者acelp (未來,一直來一直來)時間20年前 (2005/12/16 16:15), 編輯資訊
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未來SOC絕對是個趨勢 只是困難度越來越高罷了. SOC後也可以增加跨入門檻 未來產品被作爛的機會也比較小. 國內有的公司不看好SOC 大多也是因為自己人力跟技術不足. --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 203.69.97.52.

推噓3(3推 0噓 4→)留言7則,0人參與, 最新作者pow (FeiFei)時間20年前 (2005/12/16 12:36), 編輯資訊
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引述《spiritia.bbs@bbs.nsysu.edu.tw (水精靈)》之銘言:這要看妳怎麼定義SOC囉發展性的話. 如果可以省錢(省成本) 只會越來越紅. --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 24.211.186.182.

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者spiritia.時間20年前 (2005/12/16 11:32), 編輯資訊
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> ==> ihlin.bbs@ptt.cc () 的文章中提到:. > 引述《spiritia.bbs@bbs.nsysu.edu.tw (水精靈)》之銘言:. > : > BJT:優點--->技術成熟,且大量生產,因此在價格上便宜,而且其溫度係數/抗雜訊能力> : > 也有一定程度以上,而且
(還有734個字)

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者mark66.時間20年前 (2005/12/16 10:32), 編輯資訊
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引述《ymca.bbs@bbs.isu.edu.tw ()》之銘言:BJT單一cell的體積確實比MOS大. 但是在低電壓超作時(1.8V以下),MOS的面積需要很大. 才可達到夠低的overdrive及mismatch. 反關BJT不管電晶體的size, vbe大約都在0.75~0.85,.
(還有219個字)

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者pow (FeiFei)時間20年前 (2005/12/16 09:46), 編輯資訊
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引述《ymca.bbs@bbs.isu.edu.tw ()》之銘言:analog circuit design的CMOS也會很大耶. --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 24.211.186.182.
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