Re: [閒聊] Canon感光設計更改?

看板DSLR作者splendidpoem (天降六月雪)時間8年前 (2016/03/25 12:37)推噓30(30推 0噓 10→)

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Canon的真榮田先生在去年已宣示：未來Canon的單眼相機將以on-chip ADC為主。除了那台2億5千萬像素的概念機已率先應用外，很高興Canon開始將此技術導入消費機上。 off-chip ADC被許多人認為是Canon暗部雜訊、動態範圍落後其它廠商的元兇，因為它延長了類比訊號滯留的時間，導入更多雜訊。以5DS/R來說，ISO 100時，它的整體讀取雜訊幾乎是D810的三倍，但事實上其像素層級的讀取雜訊都在2個電子以下，比D810更低，由此可見off-chip ADC對Canon感光元件表現的限制有多大。此外，Canon通常配置4~16個獨立的類比數位轉換器，這對於相機「像素越來越多」、「連拍越來越快」的未來趨勢是不利的。改採Sony Exmor的直列式配置，增加類比數位轉換器的數量，Canon相機才有餘力應付4K以上的錄影能力，目指原本掌握在自己手中的相機錄影王座。但是，Canon改採on-chip ADC有幾點疑慮： (一)Sony Exmor的低讀取雜訊、高動態範圍，並不是簡單把類比數位轉換器放到感光元件裡面就達成了，重點在於Sony變更了計數器的位置，以及同時配置了直列式的CDS(雙關聯採樣單元)及數位CDS。CDS簡單來說即是將採樣後的樣本減去採樣前的樣本，以減少固定式的態樣雜訊。相較於目前Canon將CDS配置在像素層級，Sony的作法對消除雜訊是更有效率的。換句話說：Canon若只單純改成on-chip ADC，而沒有其它技術支援，動態範圍仍無法達到Sony的高度。 (二)製程問題。當Canon近期的5DS/R製程仍停留在500nm時，Sony感光元件的晶體管已達到180甚至90nm，可配置更多單位在感光元件上。 (三)以Sony在電子技術上的強大實力，仍苦於on-chip ADC所導致的發熱問題而無法徹底解決。Canon改採on-chip ADC後，一邊失去原本「暗電流更低」的優勢，另一邊又要面對感光元件的發熱問題，是能突破瓶頸亦或陷入困境？如果能夠克服這些問題，我們可以預期Canon未來的相機將能實現： (一)像素數量和連拍速度的整體提升(但仍需考慮其它層面的限制)。 (二)更低的暗部雜訊，更高的動態範圍。 (三)同上，Canon相機也將成為ISOless：在動態範圍足夠的前提下，RAW拍攝者專心控制光圈(景深)和快門(凝結或流動的時間感)即可，不需分心於拍攝當下的照片亮度。當Cano n使用者仍需小心控制ETTR以保護動態範圍時，前述作法早已被它廠使用者所熟練運用。 (四)4K以上的錄影能力。 (五)在產能得以保證的前提下，和Sony一樣販售自家的高技術感光元件。不但能擴大利基，同時也能增加影響力。有鑑於目前Canon相機即使電子技術落後，整體銷量仍遠遠壓過其它技術先進的廠商；若C anon能成功實現on-chip ADC的配套措施，追上它廠相機在動態範圍上的優勢，甚或開始進軍未來趨勢的無反系統，其發展恐無可限量。但是，前提是Canon必須成功實現配套措施。即使其on-chip ADC相關專利報告中提出許多極具發展性的新技術，但Sony的Exmor架構也是經過十年不斷改良才達到今天的高度，電子技術較落後的Canon是否能一步登天？還是兩邊不討好而陷入泥淖？值得進一步觀察。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 101.15.115.153 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/DSLR/M.1458880653.A.8F4.html

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