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作者 wadeginobili 在 PTT [ Grad-ProbAsk ] 看板的留言(推文), 共33則
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1F推:我覺得是...Cs造成高通的ωL Cp造成低通ωH04/08 01:48
2F→:所以ωL = 1/(CsRi+Rp) = 2.5 rad/s04/08 01:50
3F→:然後ωH = 1/{ Cs(Ri//Rp) } = 2666667 rad/s04/08 01:51
4F→:個人潛見 不知道這樣對不對@@04/08 01:53
5F→:然後我覺得「短路/開路時間常數法」用在全部造成低通04/08 01:57
6F→:或高通的電容上面04/08 01:57
5F推:第2題分母整理一下 可以變成分離變數型 然後直接積分03/21 19:56
6F→:但是y的部分積分需要變數變換的技巧03/21 19:57
2F→:我是算這答案 但是有點懷疑03/12 00:49
6F→:那題我選C耶... 還有我第一題完全不知怎分析03/12 11:02
7F→:我直接寫4 @@03/12 11:04
12F→:我假設增益Av 然後帶進去亂分析... 再把Av趨於無窮大03/12 15:00
13F→:然後變成 Rab = 4//無限大 我就寫4K了= =03/12 15:01
17F→:我一個朋友想法跟你一樣 也許你們是對的 因為他考比03/12 23:35
18F→:我高XD 真想知道正確答案...= =03/12 23:36
19F→:而且如果答案是4 會不會太白吃了點...03/12 23:36
20F→:順便問一下13題有人寫60mv嗎?03/13 01:05
1F→:Beta好像求錯了03/02 00:11
2F推:你的R_in算法可能不正確03/02 01:01
3F→:Beta應該是6/(6+3)=2/303/02 01:08
4F→:R_in的話是 先求出Ri=10+100+5=115 (不能先並聯500)03/02 01:10
5F→:再套回授公式Rif=(1+AB)Ri=715 之後再並聯500 就是答03/02 01:12
6F→:案了 而你增益跟R_out只要改Beta就正確了03/02 01:13
7F推:Vcm(min)=Vt-VDD=-8 MOS的VGS恰等於Vt10/14 01:21
8F→:MOS好像在導通臨界 要是這樣的話就MOS不會有電流10/14 01:21
9F→:所以電阻沒壓降 不知道這樣解釋合不合理…10/14 01:22
10F→:滿好奇的 解答有詳細的說明嗎?10/14 01:22
11F→:或是有個完整的題目10/14 01:25
1F推:做分部積分10/08 23:35
2F→:看到了 謝謝!!10/08 22:59
1F推:a0會一樣 因為a0是這個函數的平均值10/06 09:52
2F→:an會不一樣 因為是用不同周期的三角函數去展開10/06 09:53
3F→:但合成出來的圖形應該是會一樣...10/06 09:56
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