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作者 ventress 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共29則
限定看板:Electronics
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1F推: 止 飽 飽 歐 歐12/24 03:51
2F推: drain在底部02/03 23:02
1F推: 找Baliga的書來看09/20 00:21
3F推: 找baliga的書來看05/25 02:26
1F→:空乏區的形成會使pn接面有內建電壓差10/10 22:58
2F→:所以要當外接電壓超過此內建電壓時,二極體才會導通。10/10 23:00
4F→:假設MOS外接順向偏壓是正的(Vg>0)10/10 23:18
5F→:此時P型半導體的電洞會被排開留下負離子 此空間即空乏區10/10 23:22
6F→:負離子剛好提供負電荷來和外加之正電壓吸引達到平衡10/10 23:23
7F→:如持續提高外加正電壓空乏區會擴大 但當正電壓達到臨界值10/10 23:25
8F→:Vg=Vth 半導體表面會有反轉電荷(inversion charge)10/10 23:26
9F→:P型半導體的反轉電荷就是電子 反之亦然10/10 23:27
10F→:此時出現的反轉電荷恰可代替負離子扮演電荷平衡的角色10/10 23:30
11F→:所以原本空乏區的負離子不必再增加 空乏區寬度就不再改變10/10 23:31
13F→:樓上試用哪本書呢?10/11 02:22
15F→:介紹mos的章節 前面幾節應該會有 不過我沒讀過這本10/11 10:10
16F→:剛開始學的建議先把pn二極體、金屬-半導體接面搞懂10/11 10:12
17F→:再學mos電晶體 這樣觀念才會連貫10/11 10:14
1F推:example是到silvaco網站看"Hysteresis effects"這篇嗎09/25 13:15
5F推:有和直接加fixed charge(qf)的結果比較嗎09/27 22:28
6F→:是不是想畫不同溫度下之Dit曲線平移變化09/27 22:34
13F→:我其實沒有模擬過interface trap的經驗09/28 16:57
14F→:直覺上要加入U-Shape的trap(中間密度最低 上下端較高)09/28 17:00
15F→:可以一行行打 逐漸改變e.level 試試看吧09/28 17:02
9F推:我是用silvaco05/11 23:43
10F推:應該是藉由silvaco模擬出的數據來計算並建立spice model05/12 18:52
11F→:想直接套用spice model的話 matlab應該就可以辦到05/12 18:53
12F→:google"BSIM4 MOSFET Model for circuit simulation"05/12 18:55
13F→:有Chenming Hu的投影片給你參考 希望有幫助05/12 18:56
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