[問題] Silvaco軟體模擬MOSC的電性

看板Electronics作者 (rk)時間12年前 (2013/09/20 22:45), 編輯推噓2(2推 0噓 15→)
留言17則, 3人參與, 最新討論串1/1
我們在使用silvaco模擬MOSC 但是一直無法完美的將interface trap加入到oxide/Si介面 我們也有參考example 但是覺得example的圖也是怪怪的 所以想上板來請教版上的高手@@ 感謝~~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.230.54.82
推
09/25 13:15, , 1F
example是到silvaco網站看"Hysteresis effects"這篇嗎
09/25 13:15, 1F
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09/27 16:43, , 2F
是, 我們有模擬出她的(a)圖 但是對於改變溫度的現象
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09/27 16:43, , 3F
很奇怪, 覺得他的interface charge像是fixed charge
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09/27 16:44, , 4F
是否是Silvaco的interface trap無法很完美的模擬?
09/27 16:44, 4F
推
09/27 22:28, , 5F
有和直接加fixed charge(qf)的結果比較嗎
09/27 22:28, 5F
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09/27 22:34, , 6F
是不是想畫不同溫度下之Dit曲線平移變化
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09/27 23:25, , 7F
我們還沒嘗試加fixed charge 我們是想看Dit對溫度的變化@
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09/27 23:27, , 8F
不過我們是用AlGaN/GaN結構
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09/27 23:57, , 9F
不好意思，我是和原PO同組的組員，模擬主要是我在負責
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09/27 23:58, , 10F
想請問一下，可以加入U-Shape的trap嗎?
09/27 23:58, 10F
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09/27 23:59, , 11F
因為我們看manual好像只能加single level的trap
09/27 23:59, 11F
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09/27 23:59, , 12F
主要是想模擬出CV curve變平緩的現象
09/27 23:59, 12F
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09/28 16:57, , 13F
我其實沒有模擬過interface trap的經驗
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09/28 17:00, , 14F
直覺上要加入U-Shape的trap(中間密度最低 上下端較高)
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09/28 17:02, , 15F
可以一行行打 逐漸改變e.level 試試看吧
09/28 17:02, 15F
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09/29 01:05, , 16F
有試過樓上的方法 還加了100行xd
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09/29 01:05, , 17F
但是對溫度的變化還是很奇怪~~~~cv曲線是有變平緩一點
09/29 01:05, 17F
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