作者查詢 / tung001
作者 tung001 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共43則
限定看板:Electronics
看板排序:
全部Chen_C_H44Electronics43Gossiping40Baseball38car27Monkeys22FJU-EE-2004A20comm_and_RF19NY-Yankees19guitar17NARUTO16Elephants14HomeTeach12home-sale9Tech_Job9CMWang8graduate7RDSS7NTU_BOTDorm26ChangHua5Physics5PushDoll5Wu-Ya5sex4SuperStarAve4ComeHere3DSLR3HCKuo3joke3NTUCYCLUB3CarShop2CPBL2GraduateCram2Lions2mobilesales2NCUCEM2Stephen2AKB481Anti-ramp1cksh82nd3211Cross_talk1Doraemon1EatToDie1EEBaseball1eSports1Hsinchu1HSNU_11181kochikame1Korea_Travel1Master_D1MLB1NTU-EM961Olympics_ISG1Printer_scan1Stock1StupidClown1tutor1wisdom1WorldCup1WuLing46-3171YP94-3041YZUfinGrad951<< 收起看板(62)
7F推: 應該說! 因為Miller Effect的效應讓原本該點的Cap08/18 15:41
8F→: 相對很小! 所以可以不用計!!!08/18 15:41
9F→: ex. 在MOS CS組態 (gm*ro)Cgs >> Cgd !08/18 15:42
10F→: 寫錯 XDD (gm*ro)Cgd >> Cgs08/18 15:43
11F→: 這個時候去計算Cgs 意義就不太大!08/18 15:43
7F推:.ic 把PMOS Gate設在 VDDA , NMOS Gate設在008/05 16:21
5F→:1. 第一級你的ID怎麼給?? input pair操作在什麼區域?05/27 13:28
6F→:2. 你的MOS LOAD 操作在什麼區域 , 怎麼設計mismatch才小?05/27 13:29
7F→:3. 既然是Fully Diff. 偏壓點有沒有用Loop去掐住?05/27 13:29
4F→:我覺得電路Design久了 真的會想回去弄懂基本的理論!12/29 18:07
5F→:但剛入門還是看懂Razavi就好了!!12/29 18:07
8F→:1. Gain從哪裡來 ? gm*Rout 先確認M56910的ro12/30 12:07
9F→:還有input Pair 的 gm12/30 12:07
10F→:2. 你的電晶體真的有操作再你想要的區域嗎?12/30 12:08
11F→:一般 OP input Pair Vod會抓小, M56910要有Margin12/30 12:08
12F→:M3478 可以看成一個Source Follower去讓M56910Vds穩定12/30 12:09
13F→:知道每顆MOS要做啥 一個一個調進去吧!12/30 12:09
3F推:Q1 : MIM 換MOM 就是用面積去換少一層Cap Top Metal12/11 18:27
4F→:Q2 : 單位電容的Cap值做大一點 , 加Dummy應該差不多12/11 18:27
3F推:林昀寫得很詳細! 可以GO一遍就超強!10/15 17:55
4F→:但是我當時考碩班的時候是把Smith + Razavi習題K一遍10/15 17:55
5F→:其實把Smith後面的習題自己寫過 就超強了!10/15 17:56
6F→:基本上都是好書! 看你喜歡哪一本就K哪一本10/15 17:56
6F推:推薦Razavi 那本Fundamental09/23 13:50
3F推:會Latch-Up喔06/22 00:57
5F推:建議你切個loop看一下PM跟GM, 如果是穩定的你給IC也沒用04/29 09:33