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作者 smalltin11 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共9則

限定看板：Electronics

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[ Electronics ]15 留言, 推噓總分: +2

作者: smalltin11 - 發表於 2019/05/02 23:45(6年前)

2^F→smalltin11: t大您好~因為我的不是傳統MOSFET，閘極和通道那有稍微05/03 21:36

3^F→smalltin11: 改一些，所以我的通道區長度是3um，gate最後沉積上去05/03 21:36

4^F→smalltin11: 的gate length是7um，不過整體還是一般MOS操作！body05/03 21:36

5^F→smalltin11: 是打BF2, 40 keV, 1E15cm-2！05/03 21:36

9^F→smalltin11: tin大您好，其實沒有特殊需求欸QQ而且我們後來量測時05/03 23:38

10^F→smalltin11: 礙於還有光纖系統所以只下三端點，body那邊反而也沒下05/03 23:38

11^F→smalltin11: 針，是Id-Vg看到Ioff太大才開始進行drain/body兩端PN05/03 23:38

12^F→smalltin11: diode量測檢查漏電來源~而想說contact吃接面深度太深05/03 23:38

13^F→smalltin11: 會不會也是造成Junction漏電來源之一？><05/03 23:38

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