[問題] 逆向飽和電流過大
大家晚安~~手機排版，若亂掉請見諒！
想請問各位厲害的大大們：
我有一個MOSFET元件，因為量測結果off current太大所以正在尋找原因。有進行Drain與Body的兩端點PN junction量測，這裏就發現逆向飽和電流很大，order約在-7~-6 A，問題應該就是這裡了！
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想請問各位大師，會造成逆向飽和電流過大的原因有哪些呢？(先撇除矽基板品質不好的關係)
《我的drain是打phosphor, 20 keV, 1E15 cm-2, 載子活化條件：900度濕氧 20min》
目前我有想到的可能性是在Drain上開鋁電極窗口時，不小心蝕刻太深了！雖然應該是沒有整個吃破或是spiking破drain的接面深度，不然應該是會直接短路吧(這解釋是對的嗎？><)？但我也不是很清楚單純只是開太深的話會造成PN Junction leakage變大嗎？
請問有哪位大大可以替我解釋嗎？
或者有其他可能因素造成PN junction leakage變大嗎？><
先在此感謝各位大師！謝謝！
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