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作者 MOSHEMT 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共3則
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[問題] 載子移動率相關問題
[ Electronics ]4 留言, 推噓總分: +1
作者: aladean - 發表於 2016/08/23 22:30(9年前)
1F→MOSHEMT: 霍爾量到跟從電流回推的都是電子遷移率 霍爾量會比較接08/24 00:26
2F→MOSHEMT: 近理想值 用電流回推除了電容值會有影響外 也會受散射影08/24 00:27
3F→MOSHEMT: 影響 載子遷移率會比較低08/24 00:27
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