[問題] 載子移動率相關問題

看板Electronics作者 (打雜工)時間7年前 (2016/08/23 22:30), 7年前編輯推噓1(103)
留言4則, 2人參與, 最新討論串1/1
薄膜材料的載子移動率可以由霍爾量測得到 而做成TFT之後, 從Idson的數值也可以推回去算出得到有效載子移動率 想請教板友 這兩種載子移動率有相關性嗎??? 還是不同狀況沒法互相比較? 感謝各位回答 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 218.164.43.253 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1471962636.A.899.html

08/24 00:26, , 1F
霍爾量到跟從電流回推的都是電子遷移率 霍爾量會比較接
08/24 00:26, 1F

08/24 00:27, , 2F
近理想值 用電流回推除了電容值會有影響外 也會受散射影
08/24 00:27, 2F

08/24 00:27, , 3F
影響 載子遷移率會比較低
08/24 00:27, 3F

08/24 00:32, , 4F
多數載子跟飄移是不同的吧
08/24 00:32, 4F
※ 編輯: aladean (218.164.43.253), 08/24/2016 20:55:41
文章代碼(AID): #1Nl5uCYP (Electronics)