作者 lary 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共31則

[問題] 請問LAYOUT中DUMMY CELL的接法

[ Electronics ]21 留言, 推噓總分: +5

作者: wwwok - 發表於 2009/10/22 10:44(16年前)

6^F→Lary:nmos的body要接gnd pmos的body要接vdd 所以就pmos4根腳接vdd10/22 12:40

7^F→Lary:nmos4根腳接gnd 其他res cap ind就只要都接vdd或gnd即可10/22 12:41

8^F→Lary:我是習慣除了pmos外全部都接gnd10/22 12:42

15^F→Lary:其實我用dummy大部分的情況都是為了減少microloading effect10/22 22:03

16^F→Lary:盡量不要把主要元件放在layout的邊緣會有較大的製程變異10/22 22:03

[問題] 被動與主動元件

[ Electronics ]28 留言, 推噓總分: +9

作者: armoni - 發表於 2009/10/11 23:48(16年前)

2^F→Lary:簡單的說主動元件會有current gain或voltage gain 被動元件10/11 23:53

3^F→Lary:只有loss10/11 23:53

[問題] 請問有關定電流的一些問題~~

[ Electronics ]9 留言, 推噓總分: +2

作者: CCMAKE - 發表於 2009/10/11 02:53(16年前)

5^F→Lary:http://en.wikipedia.org/wiki/Current_source10/11 09:38

6^F→Lary:在ic內可以用mos設計出定電流源(在一定電壓範圍內電流固定)10/11 09:39

7^F→Lary:基本上是利用一個叫bandgap的電路產生定電流源可以參考aic10/11 09:40

8^F→Lary:相關的書會有相關的說明10/11 09:40

Re: [請益] 有關音樂放大的電路

[ Electronics ]5 留言, 推噓總分: +1

作者: andyno1 - 發表於 2009/10/09 14:37(16年前)

4^F推Lary:不確定問題在哪不過因為音樂不是固定振幅所以要確保你的10/10 07:55

5^F→Lary:放大器操作在class A或B 這樣音樂訊號才不會失真~10/10 07:56

[請益] 有關音樂放大的電路

[ Electronics ]26 留言, 推噓總分: +9

作者: andyno1 - 發表於 2009/10/08 22:25(16年前)

3^F→Lary:喇叭應該是要用大電流推動小阻抗可以用BJT或power MOS弄個10/08 23:24

4^F→Lary:common drain/collector試試看...10/08 23:25

[問題] Mixer Conversion Noise 一問

[ Electronics ]31 留言, 推噓總分: +2

作者: shajoe - 發表於 2009/09/16 14:54(16年前)

14^F→Lary:低頻的noise大多是由flicker noise貢獻可以看看noise09/16 20:19

15^F→Lary:distribution 看是由哪幾個元件貢獻的及noise type09/16 20:19

21^F→Lary:我沒用過ADS 不過我是用cadence做pnoise後看noise distributi09/16 20:23

Re: [問題] 有關爾利效應的選擇題

[ Electronics ]14 留言, 推噓總分: +4

作者: Lary - 發表於 2009/09/15 00:06(16年前)

1^F→Lary:突然知道你為什麼查不到了因為Early effect是BJT的不是MOS09/15 00:09

2^F→Lary:竟然打完這麼多字才發現...09/15 00:10

[問題] SMA接頭

[ Electronics ]3 留言, 推噓總分: +1

作者: wolleyllams - 發表於 2009/09/14 16:02(16年前)

3^F→Lary:輸入頻率快嗎? 快的話可能被轉接頭的電容吃光光了...09/14 20:55

Re: [問題] 請問MOS的SIZE

[ Electronics ]2 留言, 推噓總分: +1

作者: Lary - 發表於 2009/09/12 23:55(16年前)

2^F→Lary:您客氣了大家教學相長互補不足之處多切磋 :)09/13 00:33

Re: [問題] 請問MOS的SIZE

[ Electronics ]20 留言, 推噓總分: +7

作者: deathcustom - 發表於 2009/09/12 14:37(16年前)

3^F→Lary:這你要去看一下TSMC的參數最小大概是Vds-Vth>100~150 mV09/12 11:55

4^F→Lary:這樣確保device在strong inversion 最大可能要看TSMC Vgs-Vth09/12 11:56

5^F→Lary:多大時電子會接近saturation velocity09/12 11:56

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