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作者 hungin 在 PTT [ NEMS ] 看板的留言(推文), 共23則

限定看板：NEMS

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[問題] 線切割會不會改變晶體結構

[ NEMS ]10 留言, 推噓總分: +3

作者: eric0526 - 發表於 2010/08/25 14:16(15年前)

1^F推hungin:高溫的程度?? 長thermal oxide溫度大約1000度..參考參考08/26 02:01

[問題] RIE蝕刻限制

[ NEMS ]10 留言, 推噓總分: +2

作者: asdwqq - 發表於 2010/03/19 18:20(16年前)

7^F推hungin: 6um的厚度,..看來原po是想蝕刻CMOS MEMS的晶片吧03/23 14:25

8^F推hungin:根據原po前一個問題..推想原po是下CIC的CMOS MEMS後想要後03/23 14:38

9^F→hungin:製程把oxide去除..如果是全部要去除不考慮undercut除了SV3.03/23 14:39

10^F→hungin:還有個方法...HF vapor,查查paper試試吧..不過要注意安全03/23 14:40

[問題] 如何蝕刻300微米的Si

[ NEMS ]7 留言, 推噓總分: +5

作者: nitsao - 發表於 2009/12/17 09:25(16年前)

3^F推hungin:要留pattern的話就用ICP吧12/17 12:47

[問題] Silox Vapox III 請問在台灣要去跟哪家廠商買?

[ NEMS ]4 留言, 推噓總分: +4

作者: magicmike - 發表於 2009/12/10 15:23(16年前)

1^F推hungin:景明化工問問看12/11 10:58

[閒聊] 做scanning mirror 與 accelermoeter的差別

[ NEMS ]5 留言, 推噓總分: +3

作者: tzjwinfcha - 發表於 2009/07/18 08:29(16年前)

4^F推hungin:同意樓上所言.....淚推阿.....07/18 22:55

[問題]雙面曝光代工

[ NEMS ]2 留言, 推噓總分: +2

作者: sephi15 - 發表於 2009/06/19 11:53(16年前)

1^F推hungin:工研院,自強工業協會,清大工科曾繁根老師實驗室..06/19 13:34

Re: [問題] SU8-50 Develop

[ NEMS ]11 留言, 推噓總分: +4

作者: cp2jp6 - 發表於 2009/06/12 18:12(16年前)

5^F推hungin:交大貴儀送光罩要快速取決於你送光罩圖檔的速度與積極程度06/15 21:09

6^F→hungin:通常只要你在月初預約後馬上將圖檔上傳"並打電話告知操作員06/15 21:10

7^F→hungin:你要親自去跟他確認光罩"..通常若不是旺季..一個星期內你的06/15 21:11

8^F→hungin:光罩就做好了,親自跑一趟絕對有幫助,又快圖檔又不出錯06/15 21:12

9^F推hungin:另外,操作員人都很好,月初通常很多人都先預約圖檔還未上傳06/15 21:18

10^F→hungin:此時操作員都很樂意在不影響別人的前提下盡量幫你趕工..06/15 21:20

[問題] 我該拿甚麼東西擋KOH?

[ NEMS ]6 留言, 推噓總分: +5

作者: aplasmaman - 發表於 2009/04/14 11:21(17年前)

4^F推hungin:光阻也擋不住TMAH..04/16 02:23

[問題] PDMS什麼溫度下會變成液狀??

[ NEMS ]4 留言, 推噓總分: +3

作者: newbrain - 發表於 2009/03/13 00:42(17年前)

3^F推hungin:剛剛有去試了一下似乎沒有效哩04/03 22:15

Re: [問題] 請問何種腐蝕液可以清洗掉釤跟鈷

[ NEMS ]1 留言, 推噓總分: +1

作者: ken9110 - 發表於 2009/03/08 12:20(17年前)

1^F推hungin:做個尺寸相同dummy的懸浮結構觀察..結構飄掉應該就吃完了03/09 19:01

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