[問題] 如何蝕刻300微米的Si

看板NEMS作者 (123)時間14年前 (2009/12/17 09:25), 編輯推噓5(5推 0噓 2→)
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請問有沒有人蝕刻過300微米左右的Si 我把用CMP磨薄的Si 用bonding的方式黏到另一基板上 如果pattern上面那塊Si 有部分區域要吃穿到下面那塊的基板露出來 請問有蝕刻的方式嗎 如果有的話 蝕刻率大概如何？ 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 118.160.69.177
推
12/17 11:12, , 1F
KOH去硬吃，650um的wafer都可以吃光光= =
12/17 11:12, 1F
推
12/17 12:34, , 2F
KOH,TMAH,ICP
12/17 12:34, 2F
推
12/17 12:47, , 3F
要留pattern的話就用ICP吧
12/17 12:47, 3F
推
12/17 14:38, , 4F
KOH 1.8~2u/m TMAH 0.8~1u/m ICP交給樓下
12/17 14:38, 4F
推
12/17 18:52, , 5F
我的 ICP 機台只能吃 III-V，不能吃 Si，樓下有請
12/17 18:52, 5F
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12/17 18:52, , 6F
樓下沒ICP 哈 看起來KOH可以喔 KOH便宜多了 感謝~
12/17 18:52, 6F
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12/25 01:10, , 7F
STS Pegasus可以
12/25 01:10, 7F
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