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作者 crab321 在 PTT 全部看板的留言(推文), 共33則

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[ Electronics ]64 留言, 推噓總分: +3

作者: crab321 - 發表於 2016/09/26 18:19(9年前)

4^F→crab321: 回應一下樓上H大，抱歉可能是我的描述不夠清楚。09/28 09:40

5^F→crab321: 我記得書上說的DIBL 是因為短通道元件下，DRAIN偏壓增大09/28 09:42

6^F→crab321: 導致DRAIN端的空乏區(相較BODY為逆偏)往通道延伸，並且09/28 09:43

7^F→crab321: 靠近SOURCE 與其相互作用導致SOURCE的能障減低，載子容易09/28 09:44

8^F→crab321: 流通，而降低Vth09/28 09:44

9^F→crab321: BODY EFFECT 則是因為基板相較於SOURCE有一低偏壓Vsb，09/28 09:47

10^F→crab321: 使得基板端費米能階向上抬升，能帶彎曲增大，表示SOURCE09/28 09:49

11^F→crab321: 的空乏區往通道延伸，因為空乏區為帶負電性電荷，因此考09/28 09:50

12^F→crab321: 量電中性，GATE端需要更多正電荷(表示需要更多正偏壓)，09/28 09:51

13^F→crab321: 因此Vth增加。09/28 09:51

14^F→crab321: 而我的疑問是，同樣都是空乏區往通道延伸，怎麼造成的影09/28 09:52

15^F→crab321: 響截然不同??09/28 09:53

20^F→crab321: 不太懂，BODY EFFECT和DIBL不都是有Vg和Vd，只是前者多了09/28 11:25

21^F→crab321: Vsb的偏壓09/28 11:25

29^F→crab321: 回應樓上HOPPY大，會有這疑惑是因為在學short channel09/28 20:26

30^F→crab321: effect 時，書上的解釋是因為source & drain 兩端的09/28 20:26

31^F→crab321: space charge region往channel 延伸，因此gate能控制的09/28 20:27

32^F→crab321: inverse charge 變少(剩下梯形區)，所以Vth降低。09/28 20:28

33^F→crab321: 為何body effect 同樣source 端 depletion region 往通09/28 20:30

34^F→crab321: 道延伸，反而增加Vth?09/28 20:31

42^F→crab321: 在施加body bias時造成的source的depletion region延伸，09/29 10:16

43^F→crab321: 不論是水平亦或是垂直方向，region內的電荷都是受Vsb控制09/29 10:17

44^F→crab321: 所以就Vg角度而言，應該就像short channel effect類似，09/29 10:19

45^F→crab321: 可控制inverse charge變少，Vth 應該下降?!09/29 10:20

54^F→crab321: 感謝，上面一段話幫助我釐清short channel和body effect09/29 14:59

55^F→crab321: 的相異處。09/29 14:59

56^F→crab321: 不過因為不能理解DIBL降低Source的barrier的背後機制，所09/29 15:01

57^F→crab321: 以才嘗試著用charge sharing model 去理解，指可惜好像撞09/29 15:02

58^F→crab321: 牆了....不知道有沒有其他的理解方式?一般書上就只說Vd增09/29 15:03

59^F→crab321: 加，在short channel device，會使得source的potential09/29 15:04

60^F→crab321: barrier 降低，載子更容易跨越，subthreshold current 增09/29 15:06

61^F→crab321: 加....09/29 15:07

[ iOS ]820 留言, 推噓總分: +806

作者: iamfrank - 發表於 2014/11/05 20:18(11年前)

647^F推crab321: PDF Reader 6 Premium給我iOS 8專屬擴充功能11/06 00:58

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