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作者 capcap 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共17則
限定看板:Electronics
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4F推: 推jamtu大 私心希望能有更多觀念影片XDD08/10 16:09
4F推:記得不行 因為diode跟金屬導線接觸點 有歐姆接觸 會抵掉Vbi05/07 12:30
5F推:從外部量測應該還是不會有壓差 有點忘了是不是這樣05/07 12:32
1F推:Zener diode一般來說是利用其逆偏來穩壓 只要在安全功率02/25 23:37
2F→:操作下 電流可大可小 但電壓變動量很小 因為逆偏IV曲線陡峭02/25 23:39
1F推:為什麼呢QQQQQQQQQQQ02/09 15:51
3F推:請將狗波卸貨 樓下R大40路人馬02/09 16:51
26F推:算Ro那項時不能把gmVpi拿掉 所以你少並聯一項1/gm 這項很小02/09 12:43
27F→:差這項1/gm(最小)你的Ro值會差超多導致你答案落差很大02/09 12:46
28F推:這個方法應該不是稱為虛短路 是宏觀模型其中一種 求大Gm用02/09 12:50
29F→:你翻Smith第六版 我記得chap1 介紹放大器模型有一個轉導型02/09 12:53
30F推:就是你說的虛短路 聽過有人叫這個爲 短路轉導法啦 求大Gm用02/09 12:56
31F→:虛短路說法可能不適合用在這裡XD 所以你才會找不到資料02/09 12:58
38F推:回答問題自己也能學到 互助互益啦XD02/09 14:27
4F推:空乏式MOS 跟JFET 差在 空乏式能夠增強跟空乏兩種操作02/07 23:49
5F推:JFET只能空乏式操作 不能增強式操作02/07 23:51
4F噓:…這題01/29 12:57
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