作者查詢 / brad12907
作者 brad12907 在 PTT [ ChemEng ] 看板的留言(推文), 共61則
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1F推:衝量有義意喔,對延性材料(如金屬,高分子118.160.238.152 05/02 20:40
2F→:)而言,延性變形通常會和時間溫度有關,也118.160.238.152 05/02 20:40
3F→:就是非常快速的施力可能會較脆118.160.238.152 05/02 20:42
3F推:應該是內外冷卻速率不同,導致熱應力~118.160.231.57 08/13 09:27
4F→:改用緩慢冷卻,或是改做薄一點應該會好些118.160.231.57 08/13 09:28
6F推:我就知道樓上會出現,未推先感應!118.160.231.57 08/13 14:40
1F推:一級化學反應,反應速率和濃度一次方成正118.160.249.114 08/11 00:49
2F→:比, 20度C,[A]=0.5M 相當於15度C,[A]=118.160.249.114 08/11 00:50
3F→:0.5M X 2=1M 之速率118.160.249.114 08/11 00:50
4F推:也等於25度C之[A]=0.5 / 2 =0.25M118.160.249.114 08/11 00:54
5F→:30度C之[A]=0.125M118.160.249.114 08/11 00:54
6F→:這題只問反應速率,和平衡常數無關118.160.249.114 08/11 00:55
7F→:熱力學不討論速率,看到速率兩字,跟熱力118.160.249.114 08/11 00:56
8F→:學有關的算式就可以無視了118.160.249.114 08/11 00:57
10F推:你算的不是平衡常數嗎0.0 那跟反應速率118.160.231.57 08/15 13:06
11F→:無關阿..118.160.231.57 08/15 13:07
12F推:平衡常數可以算出平衡下共有多少A.B共存118.160.231.57 08/15 13:10
13F→:但題目問反應開始時,A->B的速率何者最快118.160.231.57 08/15 13:11
14F→:別急著套公式,先去了解一下公式的意義118.160.231.57 08/15 13:12
5F推:難怪= =" 算不出來..不過1.2一定錯118.160.221.152 08/06 13:50
6F→:用判斷的話就猜3.4吧..有生成熱,系統又118.160.221.152 08/06 13:50
7F→:絕熱->多的熱能儲存在內能裡->T只會上升118.160.221.152 08/06 13:50
9F推:http://ppt.cc/g2i2 寫得有點凌亂118.160.221.152 08/06 14:51
13F推:我的解答2的部分有寫->利用將反應物先降118.160.221.152 08/06 16:01
14F→:溫反應後再將生成物升溫,剛好升降溫的吸118.160.221.152 08/06 16:02
15F→:放熱恰好=0118.160.221.152 08/06 16:02
16F→:狀態函數是指 我走A路徑(323K反應)的焓118.160.221.152 08/06 16:03
17F→:可以等於走B路徑(先降溫反應後再升溫)的118.160.221.152 08/06 16:03
18F→:焓改變量118.160.221.152 08/06 16:04
19F→:然後我打錯:因為ΔH為狀態函數...118.160.221.152 08/06 16:06
20F→:ΔH要改成H118.160.221.152 08/06 16:06
21F→:意思是說:因為我在323K的HBr的焓是定值118.160.221.152 08/06 16:07
22F→:所以我可以根據B路徑的焓改變量求出323K118.160.221.152 08/06 16:08
23F→:下的焓(也就是升降溫焓改變+低溫反應焓118.160.221.152 08/06 16:08
24F→:的改變)118.160.221.152 08/06 16:08
25F→:不懂的話我可以提供上課筆記給你看118.160.221.152 08/06 16:10
1F推:理想氣體沒位能呢..就算體積縮小,位能也不變,也就不會有06/11 18:43
2F→:熱能產生,只是將功轉變成動能(壓力)06/11 18:48
3F→:理想氣體動力論中有提到,理想氣體的U跟H都只為T之函數06/11 18:49
8F推:單晶BCC一開始拉伸就多重滑移..有Lomer cottrol barrier02/12 20:44
9F→:差排堆積比FCC更快吧0.0..02/12 20:44
10F→:話說有人知到解答嗎QQ..因為我的觀念也是告訴我FCC延性02/12 20:45
11F→:非常好0.0...可是比較少看到特別說BCC的延性佳..02/12 20:45
1F推:答案C 這是化合物半導體(IIIA族+VA族) 因為Al+Ga的濃度02/06 00:25
2F→:(IIIA族)>As(VA族)的濃度,平均價電子數<4,所以是P型半導02/06 00:26
3F→:體,主要以電洞方式導電02/06 00:27
2F推:這題我不會QQ 希望有版友幫忙解答~~ 我也想知道答案01/28 23:35
2F→:@@ 可以請樓上教一下怎麼推導嗎? 想知道的說!01/27 22:00
4F→:看到了 這部分我知道@@ 不過我是因為原PO說"內能",所以01/27 23:10
5F→:才想說利用dH=0去證dU=0..原來是我搞錯了@@" 直接證dH就01/27 23:11
6F→:好.. 這裡的內能應該是指H而不是U 謝謝gre大01/27 23:13
9F→:囧~ 所以你要問的是U嗎? 如果是H的話用g大的證法~ 如果01/28 01:08
10F→:是U的話我這樣證雖然不嚴謹~ 不過應該可以?01/28 01:09
12F→:不會嗎? A:2atm B:1 平均1.5 混合後總V不變不也是1.5嗎01/28 01:43
1F推:形成健放出能量- 排列組合變少亂度下降- 自由能-01/20 17:42
2F→:要用S判斷自發,你要注意條件,也就是"孤立系統"下>001/20 17:42
3F→:其餘化勢也是如此,用G判斷需在定P.T 用A判斷要定T.V01/20 17:43
4F→:當然S用你所說的ΔS=Q/T<0(放熱)也是對的@@01/20 17:48