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作者 bokey11 在 PTT [ Physics ] 看板的留言(推文), 共3則
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[問題] 電容相關問題
[ Physics ]7 留言, 推噓總分: +1
作者: bokey11 - 發表於 2012/09/02 21:16(11年前)
5F→bokey11:C-V 的確是跟模中缺陷有關，跟漏電流好像有點關，可是...09/03 15:08
6F→bokey11:如果有漏電流，C-V應該隨著V愈大,C愈小,但SiN卻愈大09/03 15:10
7F→bokey11:我們的實驗結果說明SiN的漏電流是大於SiO209/03 15:11
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