[問題] 電容相關問題
我們製作了上下電極板是AlCu金屬, 金屬板間有 Si3N4 與SiO2 介電質的MIM電容
我們的電容對電壓曲線告訴我們 Si3N4 與SiO2會受電壓影響,
Si3N4 電容呈現開口向上的拋物線 而SiO2電容呈現開口向下的拋物線,
後來我們將Si3N4 與SiO2混和,製作複合film的電容, 結果電容對電壓曲線是
呈現一條水平線,也就是不隨電壓影響的電容,這是理想的電容特性.
相關文獻是說原因是可以互相補足兩種材料的不足, 但我想問說,
可以用普物的電容串聯來解釋嗎? 我用excel計算發現兩種電容倒數相加後再倒數,
會是水平線的結果。
這問題還蠻難的吧?
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◆ From: 140.116.205.180
推
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