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作者 a1106abc 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共8則
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Re: [問題] 為什麼IGZO做的TFT不用做P//N
[ Electronics ]11 留言, 推噓總分: +4
作者: deathcustom - 發表於 2024/05/02 10:59(1年前)
6Fa1106abc: 再問一下這樣的結構是JL-Fet(無結場效電晶體)還是Fe-05/06 12:41
7Fa1106abc: Fet(鐵電場效電晶體)?05/06 12:41
9Fa1106abc: 當我的閘極overlap S/D的狀況S/D就不用打N+只要有歐姆05/17 18:56
10Fa1106abc: 接觸~這樣對嗎?如果沒有overlap為了越過沒有閘極控制05/17 18:56
11Fa1106abc: 的那段高電阻區才需要打N+?感謝你的耐心回答~05/17 18:56
1Fa1106abc: 所以S/D還是要N+?我看有些結構S/D沒有特別打耶~厚度要05/02 19:43
2Fa1106abc: 20nm以下才可以?05/02 19:43
3Fa1106abc: 一定要有機介電層?一般oxide不行嗎?05/02 19:47
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