Re: [問題] body端加電壓

看板comm_and_RF作者 (老狗青春不再)時間15年前 (2009/07/31 02:45), 編輯推噓1(101)
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※ 引述《kj66 (夏天到來)》之銘言: : 請問各位先進,是否可以在P N MOS的B端加電壓(正負)? : 小弟在模擬電路時,有將B端加電壓(0.7V以下) : 電路效能跑出來有比較好,但是不知道這樣會有什麼影響? : 因為上過積體電路課,印象中,B跟S接在一起,所以想請問有經驗的大大 : 感謝 必須使用deep n-well或是其他isolated well device才能這樣搞, 不然會產生漏電現象。 即便是可以這樣做,body的voltage也要注意Vbd Vbs,以免產生Diode turned on。 0.7V如果是用在NMOS如果是先進製程已經在臨界值,效能便好是因為Vt下降的關係。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 207.114.132.30

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body加電壓這類paper可以參考Peter Kinget
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的paper 哥大是這方面的pioneer
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文章代碼(AID): #1ASUf4F9 (comm_and_RF)
討論串 (同標題文章)
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