[問題] body端加電壓

看板comm_and_RF作者 (夏天到來)時間15年前 (2009/07/30 20:08), 編輯推噓3(3推 0噓 7→)
留言10則, 4人參與, 最新討論串1/2 (看更多)
請問各位先進,是否可以在P N MOS的B端加電壓(正負)? 小弟在模擬電路時,有將B端加電壓(0.7V以下) 電路效能跑出來有比較好,但是不知道這樣會有什麼影響? 因為上過積體電路課,印象中,B跟S接在一起,所以想請問有經驗的大大 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 122.117.72.76 ※ 編輯: kj66 來自: 122.117.72.76 (07/30 20:20)
推
07/30 20:26, , 1F
Vt會變 電子學翻一下
07/30 20:26, 1F
推
07/30 20:28, , 2F
BS接在一起是要防止本體效應產生VBS電壓
07/30 20:28, 2F
推
07/30 20:33, , 3F
再大信號會影響Vt在小信號會影響通道電流
07/30 20:33, 3F
→
07/30 20:34, , 4F
Vt隨Vsb電壓改變 所以Vt變小時,電流通過也會
07/30 20:34, 4F
→
07/30 20:34, , 5F
小嗎?
07/30 20:34, 5F
→
07/30 21:14, , 6F
說錯了是Vt變大 流過電流變小?
07/30 21:14, 6F
→
07/30 21:39, , 7F
NMOS在一般silicon（非SOI，P substrate）不能
07/30 21:39, 7F
→
07/30 21:40, , 8F
把B接到最低電壓之外的電壓
07/30 21:40, 8F
→
07/30 21:41, , 9F
PMOS則看N-WELL怎麼設計 可以接 但不是一定每
07/30 21:41, 9F
→
07/30 21:41, , 10F
個都獨立 重點是：你的model很可能不準
07/30 21:41, 10F
‣ 更多 kj66 的文章
文章代碼(AID): #1ASOr4-o (comm_and_RF)
討論串 (同標題文章)
以下文章回應了本文：
完整討論串 (本文為第 1 之 2 篇)：
排序： 最舊先 | 最新先 | 留言數
在新視窗開啟完整討論串 (共2篇)
‣ 更多 kj66 的文章
文章代碼(AID): #1ASOr4-o (comm_and_RF)