[化學] 四個有關游離能的鑽牛角尖(?)問題

看板TransBioChem作者 (明)時間15年前 (2010/11/02 22:03), 編輯推噓1(100)
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最近看金榜以及交大開放式課程(化學)看到了原子結構與週期表這邊 自己遇到了一些問題想跟版上的高手們討論一下 有幾個跟游離能有關的問題 今天有跟老師"稍微"討論一下(沒有討論很深) 有被老師說我太鑽牛角尖.... 不過因為自己很想知道答案 所以就上板來求救了 由衷希望版有們可以給予指教 感謝 -------------問題開始------------- 問題一 電子組態中,也就是B族元素這邊要拿、填電子這裡 在交大開放式課程中,講到這部份 交大老師有說到"3d填電子之後,4s因為3d的遮蔽效應而讓原本低能量的4s提升能量上去" (970926課程 27:45~29:54) 這邊我不了解 為什麼4s需要提高能量? 為什麼4s能提高能量? 為什麼一被擋(遮蔽效應)就提高能量? 這樣做有什麼用意或是好處在嗎? ------------- 問題二 在金榜化學中(p.3-56) 其中有說到 "電子組態全填滿或半填滿者游離能較大" 這句話我完全懂 但是下面的範例 IE1 Be > B N > O (這我懂) IE1 Mg > Cl P > S (這我懂) IE2 Cu > Zu Cr > Mn (我不懂) 我的想法是: Zn比起Cu,Zn是電子全填滿,全填滿的狀態第一游離能就很大了更何況是第二游離能? Cr與Mn也一樣,只是鉻是半滿 因為我的想法是這樣,所以我覺得應該大小是反過來才對 ------------- 問題三 在金榜化學中(p.3-57) 第二游離能的比較可由第一游離能來判斷 例1 Li < B < Be < C < O < N < F < Ne 則 Be+ < C+ < B+ < N+ < F+ < O+ < Ne+ < Li+ (為什麼?) 例2 Na < Al < Mg < Si < S < P < Cl < Ar 則 Mg+ < Si+ < Al+ < P+ < S+ < Cl+ < Ar+ < Na+ (為什麼?) 為什麼呢? 為什麼不是照著 8>7>5>6>4>2>3>1 (數字表族數)這順序呢? 其中我對Ne+ < Li+ 最有疑問 鈍氣Ne是最安定的狀態,要拿電子很不容易 第一游離能都很大了何況是第二游離能? 而Li是在要拿第二個電子時游離能才會飆高,但是他真的飆高到比拿鈍氣的第二個電子要 高嗎? ------------- 問題四 今天老師討論時有聽老師說Cu和Cr中 Cu是[Ar]3d9 4s2 Cr是[Ar]3d4 4s2 而後電子提升變成 Cu是[Ar]3d10 4s1 Cr是[Ar]3d5 4s1 而這電子提升的"動作"是"人為"的 所以實際上4s軌域中還是有2個電子 其中我確實有聽到老師說"因為書寫方便(而提升)" 我真的有嚇到 因為一直以來 我所學的是因為半滿或全滿的狀態會使的元素較為安定 而大自然原盡量讓一切事物都處於安定的狀態 故電子提升讓3d軌域全滿或是半滿以求安定 一切都是"自然形成"而非人為 所以4s軌域中確實有個電子跑到3d軌域中 故4s中確實只剩1個電子 所以今天聽到老師這樣說讓我腦袋有點衝突... 第四個問題想問的是 我的老師說的是正確的嗎?因為這是我第一次聽到"人為"這樣的說法 所以真相到底是? -------------- 以準備考試來說 這四個問題對於考試似乎不是"很重要"(?) 我也是昨天一個人一直想破頭 今天被老師說我有點鑽牛角尖後我自己反省 好像...似乎是有那麼一點 不過我還是很想知道真相到底是如何 所以...有勞板上的高手們了 非常感謝!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 122.122.248.141

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推薦Chemistry板 可以參考看看:)
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文章代碼(AID): #1Cq1eW_3 (TransBioChem)
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