[新聞] 日研究機構：華為Mate60使用14奈米晶片

看板Tech_Job作者 (乙醯胺酚)時間7月前 (2023/10/03 19:50), 編輯推噓17(18推 1噓 14→)
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日研究機構：華為Mate60使用14奈米晶片 不是7奈米 https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4447167 華為Mate60 Pro搭載的中芯國際製造的Kirin 9000S晶片，被認為是華為突破美國封鎖，成 功以7奈米製程晶片重回5G手機市場的成就。不過日本電子研究公司Fomalhaut Techno Solu tions指出，在拆解該手機後認為，Kirin 9000S CPU是透過中芯國際的14奈米製程製造，經 一些特殊技術處理後，使該晶片的性能逼近7奈米處理器。 南華早報報導，在Mate60 系列手機上市後，華為與中芯國際對於該款手機使用的中國製系 統單晶片（SoC）三緘其口。但這無法停止中國社群媒體上瀰漫的愛國熱潮，中國網民歡慶 該款手機及其先進的CPU，認為是中國突破美國制裁的勝利象徵。 不過東京拆機研究公司Fomalhaut Techno Solutions執行長Minatake Mitchell Kashio表示 ，在拆解華為該款手機後認為，Kirin 9000S晶片是中芯國際14奈米製程的產品，透過特殊 技術而使晶片性能提升逼近7奈米製程晶片。 報導說，中國北方華創科技集團一名匿名專家透露，半導體業界許多專家認為，中芯國際沒 有能力量產7奈米晶片。 美國智庫歐布萊特．石橋集團（Albright Stonebridge Group）中國與科技政策副總裁崔歐 洛（Paul Triolo）也指出，美國去年10月的貿易制裁，使中芯等中國晶圓廠難以從美國及 其盟友取得先進晶片設備。 科技網站WccfTech文章指出，一些華為Mate60系列手機的基準測試顯示，中芯國際以深紫外 光機（DUV）製造的晶片，性能上有7奈米晶片的表現，但由於美國的制裁，中企無法從荷蘭 艾司摩爾（ASML）採購先進的極紫外光機（EUV），這使中國生產的晶片或許難以跨越7奈米 的天花板。 該文說，製造7奈米晶片也將直接違反美國的制裁，該出口管制旨在將中國晶片製造能力限 制在14奈米，並落後最新技術10年之久。一份報告顯示，Kirin 9000S約落後美國4年，大大 縮小技術差距 ---- 我怎麼覺得如果華為真的是用中芯14nm做出能媲美高通888性能的晶片，反而比中芯用DUV硬 幹7nm更值得擔心和害怕。 如果為真，華為的IC設計能力屌打Apple了，也等於說華為手上真的有其他公司都沒有的黑 科技 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 223.141.218.64 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1696333834.A.A4A.html
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10/03 20:17, 7月前 , 1F
你是不是把IC設計跟製程設計搞混了
10/03 20:17, 1F
推
10/03 20:21, 7月前 , 2F
不就chiplet嗎
10/03 20:21, 2F
推
10/03 20:24, 7月前 , 3F
沒弄混吧 如果真14nm 華為能調教出7nm程度還不猛嗎?
10/03 20:24, 3F
推
10/03 20:27, 7月前 , 4F
用14奈米堆出7奈米效能 日媒真會吹阿
10/03 20:27, 4F
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10/03 20:29, 7月前 , 5F
要看成本吧
10/03 20:29, 5F
推
10/03 20:36, 7月前 , 6F
反正28nm以下都是代號
10/03 20:36, 6F
推
10/03 20:37, 7月前 , 7F
縮了，不敢繼續刺激美國
10/03 20:37, 7F
推
10/03 20:41, 7月前 , 8F
猛在哪？製程優勢主軸又不止在效能
10/03 20:41, 8F
推
10/03 20:47, 7月前 , 9F
叫N+2本來就有原因了吧～ 另外設計夠好晶片可以再
10/03 20:47, 9F
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10/03 20:47, 7月前 , 10F
小一點 AMD 4c 就小了40%
10/03 20:47, 10F
推
10/03 20:49, 7月前 , 11F
當然，OS更新後就直上5nm，這個真的非常猛沒錯
10/03 20:49, 11F
推
10/03 21:15, 7月前 , 12F
都已經知道die的面積多少了 還在那邊14nm.....= =
10/03 21:15, 12F
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10/03 21:20, 7月前 , 13F
Die size 不代表CD吧
10/03 21:20, 13F
推
10/03 21:31, 7月前 , 14F
14++++++++
10/03 21:31, 14F
噓
10/03 22:00, 7月前 , 15F
14就是14，你以為能屌打7？
10/03 22:00, 15F
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10/03 22:49, 7月前 , 16F
明明就是5奈米 再更新一次變三奈米
10/03 22:49, 16F
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10/04 00:56, 7月前 , 17F
製程落後就不用standard cell, 全full custom提升效
10/04 00:56, 17F
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10/04 00:57, 7月前 , 18F
能 阿是要多久刻出一顆？
10/04 00:57, 18F
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10/04 01:16, 7月前 , 19F
算電晶體密度就可以了
10/04 01:16, 19F
推
10/04 07:30, 7月前 , 20F
14++++++++跟I皇看齊
10/04 07:30, 20F
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10/04 07:49, 7月前 , 21F
幾奈米都是給外行人聽的 電晶體密度講出來一目了然
10/04 07:49, 21F
推
10/04 08:47, 7月前 , 22F
intel 表示
10/04 08:47, 22F
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10/04 11:05, 7月前 , 23F
野人獻曝 大家都知道努力可以做到 但無法量產
10/04 11:05, 23F
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10/04 11:05, 7月前 , 24F
無法開飛機環遊世界 就說自己開遊艇也達到一樣效果
10/04 11:05, 24F
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10/04 12:05, 7月前 , 25F
人家專做reverse的說7nm,你算老幾?
10/04 12:05, 25F
推
10/04 12:45, 7月前 , 26F
照這邏輯等中芯做出7m就可以屌打台積3nm，太猛了吧
10/04 12:45, 26F
推
10/04 13:46, 7月前 , 27F
製程節點的關鍵是電晶體密度啊
10/04 13:46, 27F
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10/04 13:47, 7月前 , 28F
電晶體密度公佈出來就知道等校節點差不多在幾奈米了
10/04 13:47, 28F
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10/04 16:01, 7月前 , 29F
SRAM 面積量一下就知道啦
10/04 16:01, 29F
推
10/04 17:11, 7月前 , 30F
可是14奈米可以效能逼近7奈米也很強
10/04 17:11, 30F
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10/04 23:05, 7月前 , 31F
這更誇張吧
10/04 23:05, 31F
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10/05 00:08, 7月前 , 32F
超猛的 下一版OTA直上3奈米
10/05 00:08, 32F
推
10/06 04:08, 7月前 , 33F
日本外行，是5奈米
10/06 04:08, 33F
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