Re: [請益] 第一份工作是整合工程師未來發展性如已刪文
看板Tech_Job作者mathlover (mathlover塞性哋@@是他ꨠ)時間5年前 (2020/08/22 09:47)推噓0(0推 0噓 0→)留言0則, 0人參與討論串2/2 (看更多)
基本上 這篇講的蠻正確的。前半段主動區的
公式可以再加上channel length modulation
effect，也就是Va（early voltage)，就可以
解釋為甚麼要有LDD；也可考慮body
effect（Vt受到body沒有與source接在ㄧ起
時會變大），解釋為啥要pocket...
再廣一點可以聯想到為什麼測試時某些soft
fail測項（tdf、PDF、SDD、IDDQ...）在高
低壓時的fail rate不同。
這算是個人比較有興趣的地方。但我不是帶貨
的 不知道對原po有沒有幫助
引述《sendtony6 (遊民)》之銘言：
: 鄉民提問：為什麼high Vt電流比較小？
: 因為Id = 1/2K(W/L)(Vgs-Vt)^2
: 這個式子在planner mosfect才成立 怎麼來的 電子學有教 請自己去翻課本
: 當Vt增加時 Id一定變小 (因為Vgs是輸入訊號 會是定值）
: 光看式子你可能沒“感覺”
: 以物理“直覺”來說 就是Vt上升代表電子或電洞比較難被吸上來形成通道
: 理論上整合應該是最了解製程目的的單位 但不知道為甚麼 很多整合其實都不知道自己
在
: 做甚麼
: 在半導體製程 很多時候都是電性要求是首要考量 然後才是結構 最後才是解defect
: 電性不外乎就是Id(sat) , Vdd , f(頻寬）,R(阻值）...
: 以Id(sat)來說 飽和電流是受到channel 的長寬比 及 Vt 影響（以傳統的mos來說)(fi
nf
: et 要去查一下paper 或跑模擬）
: 所以W/L的比值就很重要 因為如果W/L的range 太大 代表Id就不穩
: 這就是為何我們要求食刻的CDU要卡在一個範圍內
: 所以在做STI的時候 每一個mos都要切的像豆腐乾一樣
: 在要求食刻前 要先跟食刻討論一下哪種hard mask 選擇比比較高 然後疊甚麼film 對
黃
: 光的反射率最低 食刻的stop layer是要停在SIN 還是 SIO
: 然後去除stop layer要找wet的來討論一下 用哪種酸去泡
: 除了這個 還有Vt , Vt受IMP影響 所以必須去看打不同的能量時 Vt的變化 或 Id夠不
夠
: 陡
: 所以才會要求IMP 要打多少能量 多少濃度
: 打完之後找爐管的來討論一下回火的溫度 以及後面製程的thermal budget 是否會造成
植
: 入離子再次擴散
: 除了主動區要切的像豆乾一樣 之外STI 還有縱深的的考量 因為深度會直接影響是否有
電
: 流的leakage
: 以及STI裡面填的是SIO 還是 SIN 電性結果也會不一樣
: 所以要找thin film的人來討論一下 那種film的介電常數比較低
: 填完之後不是這樣就沒事 填洞一定會有孔隙問題 或是 提前封口
: 電性考慮完了 還有結構的問題
: 例如： STI bending , step high 之類 ...
: 然後這樣只是做完前段STI loop而已....
: （還不包括解defect 跟 low yield)
: 所以如果你不知道自己在幹嘛 最簡單的可以先去搞清楚電性跟製程的關係
: 很多整合覺得defect跟low yield是媽九的事 其實不太正確 因為defect有時是來自於f
lo
: w不健康
: 講那麼多 看的懂的就看的懂 看不懂的就乖乖帶貨吧
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