[新聞] 重回摩爾定律兩大武器 EUV+三五族成大勢所趨

看板Tech_Job作者 (rachel5566)時間9年前 (2016/04/09 04:21), 編輯推噓21(21014)
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重回摩爾定律兩大武器 EUV+三五族成大勢所趨 2016年04月05日 04:09 涂志豪/台北報導 英特爾在14奈米及10奈米製程推進出現延遲,已影響到處理器推出時程,也讓業界及市場 質疑:摩爾定律是否已達極限?不過,英特爾仍積極尋求在7奈米時代重回摩爾定律的方 法,其中兩大武器,分別是被視為重大微影技術世代交替的極紫外光(EUV),以及開始 採用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導體材料。 摩爾定律能否持續走下去,主要關鍵在於微影技術難度愈來愈高。目前包括英特爾、台積 電、三星等大廠,主要採用多重曝光(multi-patterning)的浸潤式微影(immersion lithography)技術,但當製程技術走到10奈米世代時,高密度的邏輯IC需要進行至少4次 的曝光製程,製造成本自然大幅拉高。 為了解決微影曝光製程的成本問題,半導體大廠近幾年已著手進行EUV微影技術的研發, 近一年來,EUV技術雖然有明顯突破,但在量產上仍未達到該有的經濟規模。不過,根據 EUV設備大廠艾司摩爾(ASML)的說明,今年若能將每日曝光晶圓產能提高到超過1,500片 ,將有助於業界開始採用EUV技術。 英特爾已規畫在7奈米製程開始採用EUV技術,若是可以達到量產經濟規模,則英特爾可望 在7奈米世代重新回到摩爾定律的循環。至於台積電部份,已計畫在7奈米開始進行試產, 若一切順利,將可在5奈米世代開始導入EUV技術。不論英特爾或台積電,EUV量產的時間 點約落在2020年左右。 半導體材料也是延續摩爾定律的重要改變。英特爾已開始試著採用包括砷化銦鎵(InGaAs )及磷化銦(InP)等三五族半導體材料,希望能夠在7奈米之後進行材料上的改變,只要 能重回摩爾定律的循環,英特爾的處理器發展策略就可回到二年循環的軌道。 台積電16奈米開始採用鰭式場效電晶體(FinFET)製程,而10奈米及7奈米世將延續採用 FinFET技術,而到5奈米之後,也已計畫更改半導體材料。據了解,台積電很有可能會在5 奈米世代採用InGaAs的三五族半導體材料,來維持摩爾定律的有效性。 http://www.chinatimes.com/newspapers/20160405000104-260204 -- 三五族等了五十年要起飛了? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 169.229.223.182 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1460146871.A.2C8.html

04/09 05:30, , 1F
一天一台1500片 一小時要run62~63片?
04/09 05:30, 1F

04/09 08:19, , 2F
還在摩爾定律 記者對科技業的印象只剩過時很久的四個字
04/09 08:19, 2F

04/09 09:24, , 3F
我怎麼記得我之前看過三五族沒辦法做在大尺寸wafer?
04/09 09:24, 3F

04/09 10:33, , 4F
都快要進入量子的空間還在談摩爾定律?
04/09 10:33, 4F

04/09 11:15, , 5F
摩爾定律那裡過時很久? 10nm,7nm,5nm一樣走在這條路上
04/09 11:15, 5F

04/09 11:38, , 6F
三五......ㄎ
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04/09 11:43, , 7F
LED做磊晶的有救了
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04/09 12:21, , 8F
三五族要看MOCVD的機台研發 跟非矽材拉晶技術
04/09 12:21, 8F

04/09 12:23, , 9F
我覺得最後什麼記者據了解的部分根本唬爛?
04/09 12:23, 9F

04/09 12:24, , 10F
矽基做5nm都還在想 就想做三五族
04/09 12:24, 10F

04/09 12:25, , 11F
那台積還賣大腸能給晶元電幹嘛
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04/09 12:26, , 12F
說錯 是LED賣給晶元
04/09 12:26, 12F

04/09 13:23, , 13F
我猜III-V族有可能是直接壘epi在矽基板上
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04/09 13:25, , 14F
大尺寸用矽作為基材比較可行 經濟
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04/09 13:32, , 15F
反正元件真正需要的部分也只是最頂上面薄薄一層
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04/09 13:32, , 16F
沒必要整片都是III-V材料或是光電常用的藍寶石基板
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04/09 13:37, , 17F
到時物理尺寸應該還是停留在7~10nm 改用"等效尺寸"
04/09 13:37, 17F

04/09 14:22, , 18F
是用三五族來做通道而已,達成高電子電洞遷移率而已
04/09 14:22, 18F

04/09 15:36, , 19F
免啦,交給EUV就好了,快量產了
04/09 15:36, 19F

04/09 16:28, , 20F
看到 III-V 只能ㄎㄎ惹
04/09 16:28, 20F

04/09 17:43, , 21F
台積還是有在弄LED 只是收回內部低調做(小聲)
04/09 17:43, 21F

04/09 18:51, , 22F
epi 的MOCVD都不知道有沒有支援到八吋了 怎麼可能?
04/09 18:51, 22F

04/09 19:25, , 23F
不太相信小I N7可以換成三五
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04/09 21:07, , 24F
三五gg都在量產了
04/09 21:07, 24F

04/09 21:44, , 25F
林口穩懋要起飛了?
04/09 21:44, 25F

04/09 22:13, , 26F
八吋現在的黃光頂多撐到99nm 8吋的MOCVD機台也都還沒生
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04/09 22:13, , 27F
產線化 怎麼曝N7?? 還是小弟知情的太淺?
04/09 22:13, 27F

04/10 14:07, , 28F
八吋黃光曝到40nm以下沒問題在阿
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04/10 15:32, , 29F
35族的吧 矽的當然沒問題
04/10 15:32, 29F

04/10 21:44, , 30F
八吋現在只有量產的ASML S850看來可以做到約.10um (量產
04/10 21:44, 30F

04/10 21:44, , 31F
型) 小弟才疏學淺 想知道哪家的litho 八吋可以做到4x nm
04/10 21:44, 31F

04/10 21:44, , 32F
....
04/10 21:44, 32F

04/10 22:05, , 33F
剛多翻了些paper 除了E-bean//NIL可以做到4x nm 靠正常
04/10 22:05, 33F

04/10 22:05, , 34F
的litho 真的就只能到9x nm啊 小弟太過認真?
04/10 22:05, 34F

04/11 11:28, , 35F
穩懋要變霸主了嗎
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