Re: [新聞] 重回摩爾定律兩大武器 EUV＋三五族成大勢所趨

看板Tech_Job作者 (平凡是幸福)時間9年前 (2016/04/11 10:47), 編輯推噓1(1推 0噓 6→)
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我還真的認真去找相關新聞.... 還真的不少InGaAs on Silicon的相關技術研究 http://electroiq.com/blog/2015/10/2015-iedm-slide-7-ingaas-nanowire-fets-on-silicon/ 縮:http://tinyurl.com/zfczyp4 http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1326904 http://wccftech.com/intel-abandoning-silicon-7nm/ 懶得翻譯了 有興趣的應該自然看得懂... 看起來過個幾年Si通道會被換掉的機會相當高 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 58.114.107.229 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1460342867.A.60A.html
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04/11 16:01, , 1F
目前業界的共識是NMOS採用InGaAs, PMOS採用Ge
04/11 16:01, 1F
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04/11 16:02, , 2F
另外要把這薄博的一層InGaAs or Ge 放在Si上，目前除非用
04/11 16:02, 2F
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04/11 16:03, , 3F
轉印的，不然用磊晶的方式都不是很好的方法，(有buffer層)
04/11 16:03, 3F
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04/11 16:05, , 4F
不考慮材料on Si的話, 其實三五族的Fin FET都有人弄出來了
04/11 16:05, 4F
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04/11 16:06, , 5F
但是不一定是E-mode就是了，降低Dit還是很大的困難點
04/11 16:06, 5F
推
04/11 17:11, , 6F
各位專業的大大，這樣的作法近期可以很快的應用到產業上
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04/11 17:12, , 7F
嗎？還是還有一段時間?
04/11 17:12, 7F
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文章代碼(AID): #1N2n1JOA (Tech_Job)
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