[請益] 半導體封裝詢問

看板Tech_Job作者 (無趣的生活~*)時間13年前 (2012/12/05 00:27), 編輯推噓4(4推 0噓 12→)
留言16則, 8人參與, 最新討論串1/2 (看更多)
最近對於半導體封裝有一些問題存在，所以來這請益: 查到的半導體封裝製程步驟: Die Saw => Die Bomd => Cure => Plasma Cleaning => Wire Bond => Molding => Cure => Marking (1)那請問Bump製程是再哪一道製程中間? (2)另外，一般常見的IC都是由 Chip 四週做 Wire Bond 那它的Chip Bump製程是使用在哪? (3)是只有Flip Chip才會有Chip Bump製程嗎? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.44.64.17
→
12/05 00:29, , 1F
屬封裝前段，你po的是後段了
12/05 00:29, 1F
所以先 Bump 在 Die Saw，那如果一般從四周打線的IC Chip 那Bump的用意在哪? ※ 編輯: dreamdrink 來自: 114.44.64.17 (12/05 00:31)
→
12/05 00:35, , 2F
Die Bomd?
12/05 00:35, 2F
→
12/05 00:37, , 3F
die bond...他打錯啦
12/05 00:37, 3F
→
12/05 01:26, , 4F
你講的可能是bumping吧? 因為說到Flip,這有點等同WireBond
12/05 01:26, 4F
推
12/05 07:19, , 5F
這不只後段,只是很大略的封裝流程.W/B打線=就是在IC
12/05 07:19, 5F
→
12/05 07:19, , 6F
四周打上線連接上SBT.
12/05 07:19, 6F
→
12/05 07:21, , 7F
封裝方式有很多種,flip是比較新的封裝技術,但我沒接觸
12/05 07:21, 7F
→
12/05 07:22, , 8F
到 可以要另請高人解釋.
12/05 07:22, 8F
→
12/05 15:50, , 9F
bumping 跟wirebond完全是兩種不同封裝orz
12/05 15:50, 9F
推
12/05 21:16, , 10F
bumping是植球的耶 根本不會經過W/B這段阿 你確定你有懂?
12/05 21:16, 10F
→
12/05 21:20, , 11F
不過其實我也似懂非懂啦...總之你講得好像有點簡略
12/05 21:20, 11F
→
12/05 23:21, , 12F
簡單來說就是用錫球取代傳統的打線 好處是減少電子傳輸距
12/05 23:21, 12F
→
12/05 23:23, , 13F
離 同時也可以縮小封裝後的尺寸 Google一下會有很多資訊
12/05 23:23, 13F
推
12/06 19:44, , 14F
Flip chip 已經不算是新的技術了，目前主要會是WLCSP
12/06 19:44, 14F
推
12/06 19:47, , 15F
直接在Wafer上撒錫球，再reflow，之後再用AUG Scan.
12/06 19:47, 15F
→
12/06 19:48, , 16F
最後裁示die saw.
12/06 19:48, 16F
‣ 更多 dreamdrink 的文章
文章代碼(AID): #1GlYHMa5 (Tech_Job)
‣ 更多 dreamdrink 的文章
文章代碼(AID): #1GlYHMa5 (Tech_Job)