[新聞] 三星晶圓代工廠最新消息:2nm工藝6月亮相 第二代SF3 3nm今年投產

看板Stock作者時間1年前 (2024/05/03 16:46), 1年前編輯推噓58(66836)
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原文標題: 三星晶圓代工廠最新消息:2nm工藝6月亮相 第二代SF3 3nm今年投產 原文連結: https://www.cnbeta.com.tw/articles/tech/1429312.htm 發布時間: 2024年05月01日 20:26 記者署名: ※原文無記載者得留空 原文內容: 作為三星第一季度財報的一部分,該公司概述了其代工部門今年下半年的一些主要計畫。 該公司已確認,它仍將如期實現在今年下半年開始量產採用其 SF3(3 納米級,第二代) 技術的晶片的目標。與此同時,三星晶圓代工廠將於 6 月份正式發佈 SF2(2 納米級) 工藝技術,該技術將提供性能和效率的雙重提升。最後,該公司正在準備將其 4 納米級 技術的變體整合到堆疊 3D 設計中。 SF2 將於六月亮相 三星計畫在 6 月 19 日舉行的 2024 年超大規模積體電路研討會(VLSI Symposium 2024 )上披露其 SF2 製造技術的關鍵細節。這將是該公司基於全柵極(GAA)多橋溝道場效應 電晶體(MBCFET)的第二個主要工藝節點。與前代產品相比,SF2 將採用"獨特的外延和 整合工藝",這將使該工藝節點比基於 FinFET 的傳統節點具有更高的性能和更低的漏電 率(儘管三星並未透露與之比較的具體節點)。 https://i.imgur.com/xFl0dYQ.jpg
三星表示,SF2 使 N 型和 P 型窄電晶體的性能分別提高了 29% 和 46% ,使寬電晶體的 性能分別提高了 11% 和 23%。此外,與 FinFET 技術相比,它還將電晶體的全域變化減 少了 26%,並將產品漏電率降低了約 50%。該工藝還通過加強與客戶的設計技術合作最佳 化 (DTCO) 為未來的技術進步奠定了基礎。 在 SF2 的背景下,三星沒有提到的一點是背面電源傳輸,因此至少目前沒有跡象表明三 星將在 SF2 上採用這種下一代電源路由功能。 三星表示,SF2 的設計基礎架構(PDK、EDA 工具和授權 IP)將於 2024 年第二季度完成 。一旦完成,三星的晶片開發合作夥伴就可以開始為這一生產節點設計產品。同時,三星 已經開始與 Arm 合作,針對 SF2 工藝共同最佳化 Arm 的 Cortex 核心。 SF3:2024 年下半年有望實現 作為首家推出基於 GAAFET 節點的工廠,三星一直處於晶片製造的最前沿。但與此同時, 這也意味著他們是第一個遇到並解決如此重大的電晶體設計變更所帶來的不可避免的磨合 問題的工廠。因此,雖然三星的第一代 SF3E 工藝技術已經投產不到兩年時間,但迄今為 止公開披露的採用該工藝製造的晶片都是相對較小的加密貨幣挖礦晶片--這正是在新工藝 節點上表現出色的流水線部件。 有了這些經驗,三星正準備利用 GAAFET 製作更大更好的晶片。作為其財報公告的一部分 ,該公司已確認其去年推出的更新 SF3 節點仍將按計畫於 2024 年下半年投入生產。 https://i.imgur.com/InPhV2H.jpg
SF3 從一開始就是一個更加成熟的產品,準備用於製造更大的處理器,包括資料中心產品 。與它的前身 SF4 相比,SF3 承諾在相同功耗和電晶體數量下性能提升 22%,或在相同 頻率和複雜度下功耗降低 34%,邏輯面積減少 21%。總體而言,三星對這項技術寄予厚望 ,因為這一代 3nm 級技術有望與台積電的 N3B 和 N3E 節點相抗衡。 SF4:準備進行 3D 堆疊 最後,三星還在準備將其最終 FinFET 技術節點 SF4 的一個變體用於 3D 晶片堆疊。隨 著電晶體密度的提高不斷放緩,三維晶片堆疊已成為不斷提高整體晶片性能的一種方法, 尤其是在現代多層處理器設計中。 有關該節點的詳細資訊還很有限,但三星似乎正在做出一些改變,以考慮/最佳化在三維 堆疊設計中使用 SF4 晶片的情況,在這種設計中,晶片需要能夠上下層通訊。根據該公 司的第一季度財務報告,三星預計將在本季度(第二季度)完成堆疊晶片 SF4 變體的準 備工作。 心得/評論: 三星第二代3nm計畫在今年下半年投入生產 三星2nm 6月正式發布 目標是在2025量產 之前3nm改名成2nm的假新聞不攻自破 https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1709785429.A.767.html 另外HBM3E 8H已經開始初步量產 預計最早在第二季度末開始銷售 HBM3E 12H則是計畫於第二季度開始量產 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 118.166.207.100 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1714725980.A.7F6.html

05/03 16:46, 1年前 , 1F
8096噴噴
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05/03 16:47, 1年前 , 2F
GG要GG惹
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05/03 16:47, 1年前 , 3F
靜靜的看你裝B
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05/03 16:47, 1年前 , 4F
又再一次彎道超車
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05/03 16:48, 1年前 , 5F
講這麼多,良率呢
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※ 編輯: madeinheaven (118.166.207.100 臺灣), 05/03/2024 16:48:27

05/03 16:49, 1年前 , 6F
如果是工商中時報導,標題會怎麼下呢?
05/03 16:49, 6F

05/03 16:50, 1年前 , 7F
GG末日,塊陶啊
05/03 16:50, 7F
※ 編輯: madeinheaven (118.166.207.100 臺灣), 05/03/2024 16:55:32

05/03 16:50, 1年前 , 8F
能投產那你先用在三星手機晶片上啊
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05/03 16:51, 1年前 , 9F
記者該來抄了吧?
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05/03 16:51, 1年前 , 10F
虧爆還繼續
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05/03 16:51, 1年前 , 11F
那麼厲害 三星旗艦機一定能屌打蘋果手機對吧
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05/03 16:52, 1年前 , 12F
每次說彎道超車都翻車
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05/03 16:53, 1年前 , 13F
所以雞雞是在跌這個
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05/03 16:53, 1年前 , 14F
宰G的好季節
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05/03 16:54, 1年前 , 15F
厲害。難怪今天漲
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05/03 16:54, 1年前 , 16F
媽的一堆吱言吱語
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05/03 16:55, 1年前 , 17F
好喔 拜託用在自己手機就好
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05/03 16:55, 1年前 , 18F
又双叒
05/03 16:55, 18F

05/03 16:55, 1年前 , 19F
跌的是訂單吧看起來先進需求減弱了
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05/03 16:55, 1年前 , 20F
哪來的野雞報導也沒寫 ...
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05/03 16:56, 1年前 , 21F
TSMC:嗚嗚 我好怕喔?
05/03 16:56, 21F

05/03 16:56, 1年前 , 22F
智障...Fin就做到漏電了 GAA多這麼多個面跟我說不漏
05/03 16:56, 22F

05/03 16:56, 1年前 , 23F
又要贏了
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05/03 16:56, 1年前 , 24F
上一塊很好 熱到可以烤麵包
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05/03 16:57, 1年前 , 25F
講得像GG不作GAA是因為GG裡面都笨蛋你最聰明一樣
05/03 16:57, 25F

05/03 16:58, 1年前 , 26F
又要彎道超車了嗎 是可以一直超車的嗎?
05/03 16:58, 26F

05/03 16:59, 1年前 , 27F
一直沒超過去一直落後才可以一直超車
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05/03 17:01, 1年前 , 28F
很明顯一直落後才有機會超車
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05/03 17:01, 1年前 , 29F
三星又超車了
05/03 17:01, 29F

05/03 17:03, 1年前 , 30F
GG GG
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05/03 17:03, 1年前 , 31F
彎道填海?彎道超車?彎道翻車?這次是哪個
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05/03 17:03, 1年前 , 32F
5090如果用我就不買了…
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05/03 17:05, 1年前 , 33F
5090先觀望一下好了…
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05/03 17:06, 1年前 , 34F
是2nm(5nm)那種命名遊戲嗎
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05/03 17:06, 1年前 , 35F
台灣選手都SF6拿冠軍了韓國還在玩SF2 3.4
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05/03 17:08, 1年前 , 36F
推一樓
05/03 17:08, 36F

05/03 17:12, 1年前 , 37F
好啦給你贏一次啦
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還有 33 則推文
還有 2 段內文
05/03 18:40, 1年前 , 71F
幹 pixel5過熱都你三星害的
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05/03 18:41, 1年前 , 72F
台積星期一跌爛
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05/03 18:45, 1年前 , 73F
有人投單了嗎?XD
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05/03 18:48, 1年前 , 74F
GG末日
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05/03 18:48, 1年前 , 75F
5007下週漲停
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05/03 18:58, 1年前 , 76F
上次不是說良率0%,要怎麼量產?
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05/03 19:10, 1年前 , 77F
三奈米良率不是0%?
05/03 19:10, 77F

05/03 19:11, 1年前 , 78F
05/03 19:11, 78F

05/03 19:14, 1年前 , 79F
爆炸
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05/03 19:20, 1年前 , 80F
三星3奈米等於台g5奈米 所以2奈米等於台g3奈米 對吧
05/03 19:20, 80F

05/03 19:32, 1年前 , 81F
還是做垃圾而已 根本不是對手
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05/03 19:37, 1年前 , 82F
三星錯估5nm以下 沒有second source需求 一單難求
05/03 19:37, 82F

05/03 19:37, 1年前 , 83F
之前不是說試產良率0嗎
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05/03 19:38, 1年前 , 84F
沒有大咖陪玩 只是用來自慰而已
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05/03 19:40, 1年前 , 85F
誰?過彎還不減速。拓海嗎?啊,填海了
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05/03 19:43, 1年前 , 86F
又超車了
05/03 19:43, 86F

05/03 19:59, 1年前 , 87F
會發燙嗎?Xad
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05/03 20:00, 1年前 , 88F
晶片門事件再現?
05/03 20:00, 88F

05/03 20:07, 1年前 , 89F
三星要重返榮耀了吧啊
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05/03 20:18, 1年前 , 90F
三星代工客戶數有增加
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05/03 21:03, 1年前 , 91F
礦機真的救了不少人
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05/03 21:05, 1年前 , 92F
量產的定義是什麼
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05/03 21:22, 1年前 , 93F
先出先贏然後良率不行,就又彎道跳過到下一個製程
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05/03 21:26, 1年前 , 94F
用在算hash的礦機上面整體數據就很漂亮
05/03 21:26, 94F

05/03 21:45, 1年前 , 95F
阿不是重新定義二奈米
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05/03 21:55, 1年前 , 96F
把台積幹掉 太唱秋了
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05/03 21:59, 1年前 , 97F
彎道摔的狠一點,翻車後還能回正趕上
05/03 21:59, 97F

05/04 00:49, 1年前 , 98F
彎道超車?
05/04 00:49, 98F

05/04 07:22, 1年前 , 99F
我還以為所謂的幾奈米製程只是名稱與實際的物理製程
05/04 07:22, 99F

05/04 07:22, 1年前 , 100F
無關這件事是常識 但至今看了很多自稱科技報導以及
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05/04 07:22, 1年前 , 101F
民眾反應 看起來好像還不是 台灣是半導體大國都這樣
05/04 07:22, 101F

05/04 07:22, 1年前 , 102F
了 看來國外只會有更多人會被這種名稱騙
05/04 07:22, 102F

05/04 08:17, 1年前 , 103F
消你的頭啦,你是有辦法直接跟三星買晶片嗎?
05/04 08:17, 103F

05/04 08:26, 1年前 , 104F
又要超越台積電了....咦 我怎麼說“又” 從邏輯上
05/04 08:26, 104F

05/04 08:26, 1年前 , 105F
來說 去年前年就應該超越了 沒落後過了
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05/04 08:27, 1年前 , 106F
現在的幾奈米 只能看過各公司的幾代產品技術的表示
05/04 08:27, 106F

05/04 08:27, 1年前 , 107F
,主要還是參考電晶體密度 良率 漏電
05/04 08:27, 107F

05/04 11:07, 1年前 , 108F
還沒看到彎道就說要彎道超車
05/04 11:07, 108F

05/04 11:23, 1年前 , 109F
TSMC:這是第幾個彎道了(挖鼻
05/04 11:23, 109F

05/05 14:39, 1年前 , 110F
這麼看不起三星?? 阿不就好棒棒
05/05 14:39, 110F
文章代碼(AID): #1cDAHSVs (Stock)