Re: [情報] Intel Roadmap to 2025

看板Stock作者sethero5 (羅莉仔)時間2年前 (2021/07/27 23:56)推噓17(17推 0噓 11→)

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※ 引述《minazukimaya (水無月真夜)》之銘言： : 1. 標題： : Intel Accelerated : 2. 來源： : Intel官網 : 3. 網址： : https://www.intel.com/content/www/us/en/events/accelerated.html : 4. 內文： : Intel釋出至2025的製程及先進封裝路線圖 : 以下幾點個人分析 : 1. Intel的戰略目標是要搶佔三星的生態位 : 這段期間大部份的分析師都是著重在討論tsmc和Intel之間的代工議題 : 但公開表態往往是為了隱藏一些真實的意圖 : 從Intel近期的各種操作來看，表面上是要追趕tsmc重新取得技術領導權 : 實際上目標應該是要擠佔三星foundry的地位 : 像是重新命名node和Pat投書POLITICO這種「純粹的公關表演」 : 其背後的意圖都是在打擊三星的代工生意 : 2. 新的命名掩蓋了技術規格的變更 : Intel現在不談密度，改談Perf/Watt了 : 其實是也算合理，畢竟密度不是一個很好的量尺 : 7->4 20% 4->3 18% : 從這兩個數字看起來，相比原本的7nm/7nm+ (對應到新的4/3) : 調降了4的技術規格，以便能在2022年順利推出 : 相對來說3在不作整體scaling的情況下要達到18%的Perf/Watt改進 : 能不能在2023推出有點微妙 : 但總體來說是比原本那個規格現實一點，至少是有機會達成的RoadMap : 當然Intel也學壞了，在node命名上有稍微偷吃步的嫌疑 : 新的4大概和tsmc的N5P差不多，新的3大概會比N3差一點 : 但公允來說，差距並不大 : 比起三星的4LPE(改名後的5LPA) 實際上還不如N5好多了.. : 總而言之，Intel 重新命名後對於同一個數字的node : Perf/Watt大致上會是tsmc > Intel > Samsung : 當然再次強調差距並不大 : 3. 20A的時程是2024年 (!?) : 老實說這是超級激進的時程 : 而且用詞上有種拿risk production來宣傳的嫌疑 : 當然Intel公關部門有績效壓力 : 但這該不會是三星那種「預設就是要delay」的Roadmap吧... : 沒有公佈Perf/Watt的改進 : 不過不太可能達到IBM 2nm的那個規格 : 我猜最後大概也是略差tsmc的2nm一點 : RoadMap符合Intel說的「要在2024年追上」 : 目前的投影片上看起來是有追上 : 我個人是覺得20A和18A的進度太樂觀了，即使有IBM和ASML幫忙 : 4. 先進封裝的進度讓人失望 : 因為Pat剛上任的演說對於先進封裝的進度十分滿意 : 我一度以為Intel有藏招 : 不過目前看起來2023年Foveros Direct的規格 : 還不如AMD今年就要用的TSMC-SoIC (AMD用在VCache上) : 從AMD的路線圖來看，把L3疊在運算核心上是個方向 : SRAM die分開製造有很好的成本效益 : 例如說邏輯運算用2nm GAA製程、SRAM用3nm的高密度製程 : Intel受限於封裝技術的進度，可能會晚一代才導入這樣的設計 : (而且..我感覺Intel那個PowerVia最後會在封裝上搞到自己) : Fab-lite的經營模式下設計部門要配合製造部門的腳步 : 無法放開手腳去設計，會是個長期隱憂 : 所以AMD最後還是痛定思痛把GF放生了XD : 5. Intel到底是下什麼東西到tsmc的N3？ : 如果真的是MTL/GNR要下到N3，同時也會用I4作 : 可能是高階用N3，低階先I4，等2023年I3量產再把高階拉回家作...? : 這種產品策略在公關上會是重傷，高階先外包不知道要怎麼圓回來 : 當然也有可能是某種還沒公佈的HPC產品(GPU/DPU或MobileEye)下在N3 : 最後一種可能，就是Intel下N3是芭樂傳言 : 不過有好幾個消息來源都提到這件事，感覺不是假的 : 6. 題外話，關於政治風向 : 美國政府的立場和Intel的立場顯然有差異 : 不然也不需要法案過了之後再用投書來作公關表態 : 投書只是放話，真正實質的利益都是要lobbyist喬的 : 這也蠻合理的，美國政府要考慮的棋局比Intel的複雜多了 : 不可能只顧及Intel的商業利益 : 從產業現實面來看，電子消費品的產業鏈不是只有半導體一個關鍵環節 : 有很多東西根本不可能在美國作的 : 最終就像Morris說的，可能會浪費了許多時間金錢人力之後 : 還是達不到一個自給自足的結果 : 電子科技業是以「矽谷作為大腦、日韓台作為心臟」這樣的形式存在的 : 當心臟曝露在危險中，合理的選擇是穿件防彈衣，不是動心臟移殖手術 : 我感覺美國政府終究還是會認清現實 : 另外李在鎔的特赦案，以及韓國明年大選的結果 : 可能都會牽動整個半導體產業的競合賽局.. Intel 10nm 現有產品 Intel 7 強化10nm 基本上就是墊檔 Intel 4 更小的FinFET 引入EUV 相當於TSMC的5nm 以時程上來講基本上是追不上TSMC 但對Intel來說很重要如果能照時程發表代表還看得到車尾燈 Intel 3 EUV+ 墊檔用 Intel 20A power via 和 GAA Intel全部賭注都在這個node 因為TSMC 要到N2才會引入完全換架構大家都重新站在起跑點上傳統上power supply基本上要經過15-20層的金屬導線才能傳到元件本身在微縮成30nm一下 via/contact resistance通常都很驚人的高大部分損耗其實都在這些線上有效電壓傳到底層元件通常都不足0.8V gate沒辦法很好控制通道所以短通道效應會很嚴重所以解法就是兩種 1. 更好gate control的元件 Planar MOSFET -> FinFET -> GAA 2. 減少寄生電容電阻把power line移到背面所以可以同時用兩面把電力傳進去減少電阻同時還可以用更寬的線寬未知數就是散熱總結來說 intel 說3-5年才能追上基本上就是反映新的road map 放推FinFET只要跟上就好賭20A重返榮耀新的roadmap就是學其他公司以intel以前到個性絕對是不會擺出那些墊檔node 現在他們學乖了至少有些比較簡單的node 讓大家覺得公司有在進步 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 71.238.44.193 (美國) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1627401371.A.8FB.html

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stosto

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stosto

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