Re: [新聞] 台積向英特爾宣戰全面追趕10奈米製程已回收

看板Stock作者TanIsVaca (好好唸書吧！)時間12年前 (2014/01/20 23:13)推噓13(13推 0噓 15→)

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最近在看了些講光學的文章，發表些心得。 ps我不是半導體專業，如果有錯煩請佛心糾正。 ================================================================== http://en.wikipedia.org/wiki/Diffraction-limited_system 因為光會衍射、繞射。所以就算你的光學設備做到完美，你最小只能把光點聚到直徑為d的光點。 d=波長/(2*介質折射率*sin) sin的角為此圖的角： http://en.wikipedia.org/wiki/File:Numerical_aperture.svg 目前主流的曝光顯影機台，是用193奈米的紫外線。所以在空氣中做，最小只能在wafer上打出直徑為96.5奈米的光點。如果你想在96.5奈米的寬度內畫兩條線，可能兩條線會糊在一起。 ================================================================= 怎麼辦呢？把wafer和透鏡泡在水中做，水的折射率是1.33，所以可以把光點的直徑縮到72.56奈米。然後再進一步，因為並不是wafer照到光的地方就會產生蝕刻，要受光度大於門檻值才會。所以可以用「相位偏移光罩」，讓兩道光中間本來會糊在一起的部份，產生破壞性干射，這樣就可以讓兩條很近的線之間的地方受光度小於門檻值。 http://pkl.narapia.com/english/product/product14.html 這樣可以讓實際做出來的一個點的直徑變成d的0.27倍~0.38倍，所以達到27.57奈米。不過泡水會減弱光的強度，所以蝕刻的深度可能會太淺。「相位偏移光罩」會讓光罩上的圖變得更複雜。 =========================================================================== 所以，如果要用波長193奈米的機台硬做20奈米以下，應該是很困難的事。工程師們，辛苦了！延伸閱讀：愛司摩爾談機台 http://www.sec.gov/Archives/edgar/data/937966/000114420407005498/exhibit99-1.htm 註：台GG和intel他們在比的28奈米、20奈米。指的是晶片上的gate可以做多細，所以那個28奈米、20奈米指的是圖上的gate length。 http://www.aist.go.jp/aist_e/aist_today/2008_27/pict/p11_1.png

晶片上面有三個基本元件：gate、source、drain，胖瘦不一樣，所以大家統一比gate的尺寸。貼些實際的照片： http://lsm.epfl.ch/files/content/sites/lsm/files/shared/SEM/FinFET_sacchetto.jpg

http://lsm.epfl.ch/files/content/sites/lsm/files/shared/SEM/Al%20stenciled%20FinFET_sacchetto.jpg

-- 股市上漲1%，投資人就會高估自己的智商1%。股市下跌1%，投資人就會低估總統的智商1%。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 111.252.245.142

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baobeising

01/20 23:20, , 1^F

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mithradir

01/20 23:29, , 2^F

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kimigogo

01/20 23:30, , 3^F

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http://www.nature.com/nature/journal/v412/n6848/images/412687aa.2.jpg

開兩個縫，就把對面噴得滿臉都是。

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catting

01/20 23:39, , 4^F

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簡單講就是因為沒辦法一口氣做四條間距20奈米的線，所以只好先做2條間距40奈米的線。然後再上一次光罩，再做2條間距40奈米的線。多上一次光罩，製造時間和犯錯的機會都會增加。 https://www.semiwiki.com/forum/content/1242-ic-design-20nm-tsmc-synopsys.html

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hoyo992

01/20 23:50, , 5^F

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釣到工程師了XD 可以幫我這篇文de bug一下嗎？

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zsman

01/21 00:03, , 6^F

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ifay

01/21 00:14, , 7^F