[問題] 半導體元件GIDL 的解法討論
https://imgur.com/a/WgFKoML
【題目】(題目的文字敘述，如有圖片亦可提供圖片)
對於GIDL的解法網路上都是打LDD。降低GATE下方的基板濃度來解決
【瓶頸】
但是目前有一些疑問
1.對於LDD改善的原因
GIDL發生主要是S/D擴散到Gate下方形成OVL
在Drain跟gate有大壓差下，Drain跟gate中間的substrate產生BTBT形成電子電洞對
LDD會降低substrate濃度；這樣會讓能帶圖中的斜率變得趨緩，增加BTBT形成的難度
這樣想是對的嗎?
2.LDD濃度對GIDL的改善應該會有極限
濃度打太淡會改善不大；但是打太濃應該也會有極限而且會造成side effect
目前想能想到的side effect可能有
Vt shift/roll off
shrot channel effect?
google上找不太到相關的討論想與各位請益
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