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討論串[問題] 半導體元件GIDL 的解法討論
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Re: [問題] 半導體元件GIDL 的解法討論
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 11月前最新作者deepwoody (快回火星吧)時間11月前 (2024/12/23 09:54), 編輯資訊
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1. 對的. 2. LDD太淡會讓S/D的阻值太大，進而影響ON current。太濃就失去LDD的意義了，也會讓short channel effect變嚴重。. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.157.174.186 (日本). ※ 文章網址: https:
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[問題] 半導體元件GIDL 的解法討論
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者lano1111 (Lano)時間11月前 (2024/12/20 06:24), 11月前編輯資訊
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https://imgur.com/a/WgFKoML. 【題目】(題目的文字敘述，如有圖片亦可提供圖片). 對於GIDL的解法網路上都是打LDD。降低GATE下方的基板濃度來解決. 【瓶頸】. 但是目前有一些疑問. 1.對於LDD改善的原因. GIDL發生主要是S/D擴散到Gate下方形成OVL.
(還有330個字)
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