[問題] 電磁波關於入射、反射、透射(Griffiths)
各位前輩好，今天上電磁學遇到了一些問題無法弄懂
小弟電磁基礎跟英文都不好請見諒(上學期還被當= =)
如有不妥之處請告訴我，感謝
9.4.1在說打入導體的電磁波的情況
式9.120是
partial ρ free (t) = e^-(σ/ε)t * ρ free(0)
1.
我想問這是什麼意思？為什麼會隨時間而decay？
是因為表面電荷會很快會達到新的平衡嗎？
2.
式9.125
k twiddle = k + i * kappa (k twiddle是k頭上有個波浪，不確定有沒有打對)
請問這是一個後見之明的寫法嗎？是不是有其他物理含意？
還是就只是實部虛部各用一個代號而已
3.
式9.132
k twiddle = K * exp(i*phi)
請問怎麼會想要寫成這樣表達？
因為是complex number，所以是想說表示成一個振幅，然後有個shift嗎
4.
式9.136
delta B - delta E = phi
說明了電場、磁場存在相位差，這是說明在導體裡面磁場會慢電場相位phi？
電磁場(打到導體內)一定會有相位差嗎？那圖Figure9.10又是在什麼情況下？
5.
9.4.2節在說導體表面的Reflection
式9.139(boundary conditions)的(i)
ε1 * E1⊥ - ε2 * E2⊥ = σ free
課本裡考慮的情況是垂直入射，這樣因為E沒有垂直分量，所以左式=0
因此σ free為0，請問他的物理意義我該怎麼解釋？
是電場沒有induce出電荷？(抱歉我前面章節沒有學好)
另外如果不是垂直入射的話，左式就不等於0，這樣就有σfree
這又是什麼意思，(如果我是斜向入射固定電磁場的電磁波的話？
還有回到第一題，σ會隨時間decay到0嗎，那這樣右邊不是會變0嗎
(這邊我覺得我有很重要的事情搞錯或不知道..
6.
導體的E透射、反射公式跟非導體的很像，請問導體除了那個beta是complex number
會讓E,B有相位差以外，有什麼不同的地方嗎？
不好意思短短一小節問題有點多，1,4,5是我最有疑問的部分
如有高手願意幫助小弟的話，感激不盡
謝謝
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