[問題] 半導體energy gap

看板Physics作者 (~Do or not do~)時間17年前 (2009/03/06 19:54), 編輯推噓4(4011)
留言15則, 6人參與, 最新討論串1/2 (看更多)
想問一下半導體energy gap與溫度之關係.... 老師上課是說溫度越高...熱能越大...gap越小... 總覺得怪怪的... 以前看一本書是說溫度升高....熱能增加.... 晶格熱振動導致載子不易往上跳?? 溫度和gap有絕對關係嗎?? 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.224.78.234

03/06 21:50, , 1F
跟物質本身有關,半導體的conduction band很空,但金屬就很滿
03/06 21:50, 1F

03/06 22:39, , 2F
所以跟溫度沒有絕對關係嘛? 謝謝
03/06 22:39, 2F

03/07 00:19, , 3F
Si 4K 1.17(NP) 300K 1.2X(TO)
03/07 00:19, 3F

03/07 00:46, , 4F
有關吧. 溫度越高, lattice const. 越高, gap越小
03/07 00:46, 4F

03/07 00:47, , 5F
electron-phonon interaction 也會造成energy level
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03/07 00:47, , 6F
shifted..
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03/07 02:01, , 7F
sorry..我不知道 lattice const 變大的話, gap 會如何
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03/07 02:01, , 8F
變. 我只知道band width 會變窄.
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03/07 11:31, , 9F
的確是lattice constant因溫度升高變大,導致bandgap變
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03/07 11:32, , 10F
小,要怎麼算可以參它狻T態物理的書
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03/07 17:52, , 11F
lattice constant 變大 gap變小?@@感覺沒什麼關聯@@
03/07 17:52, 11F

03/07 17:52, , 12F
固態物理嗎? 謝謝
03/07 17:52, 12F

03/07 18:20, , 13F
E_T=E_0-αT^2/(T+β),for Si,Ge(大施敏CH.1)
03/07 18:20, 13F

03/07 18:23, , 14F
一般來說溫度升高能隙變小是對的
03/07 18:23, 14F

03/07 19:34, , 15F
謝謝喔 我會去翻翻他的書
03/07 19:34, 15F
文章代碼(AID): #19iGxU8_ (Physics)
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